光学学报, 2014, 34 (11): 1131001, 网络出版: 2014-10-08
InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究
Research on Photoluminescence Properties of InGaAs/GaAs Strained Quantum Well
薄膜 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs单量子阱 生长速率 生长温度 光致发光 thin films metal-organic chemical vapor deposition InGaAs/GaAs single quantum well growth rate growth temperature photoluminescence
知识挖掘
相关论文
2022年
2019年
2012年
2012年
2012年
2012年
2011年
2011年
2010年
本文相似领域研究进展,
知识服务
本文主要研究领域论文发表情况:
995篇
813篇
482篇
28篇
20篇
12篇
8篇
本文研究领域论文发表情况(统计图):
戴银, 李林, 苑汇帛, 乔忠良, 孔令沂, 谷雷, 刘洋, 李特, 曲轶, 刘国军. InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究[J]. 光学学报, 2014, 34(11): 1131001. Dai Yin, Li Lin, Yuan Huibo, Qiao Zhongliang, Kong Lingyi, Gu Lei, Liu Yang, Li Te, Qu Yi, Liu Guojun. Research on Photoluminescence Properties of InGaAs/GaAs Strained Quantum Well[J]. Acta Optica Sinica, 2014, 34(11): 1131001.