InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究

戴银; 李林; 苑汇帛; 乔忠良; 孔令沂; 谷雷; 刘洋; 李特; 曲轶; 刘国军

doi:doi:10.3788/aos201434.1131001

光学学报, 2014, 34 (11): 1131001, 网络出版: 2014-10-08

InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究

Research on Photoluminescence Properties of InGaAs/GaAs Strained Quantum Well

戴银 ^1,*李林 ¹苑汇帛 ¹乔忠良 ¹孔令沂 ²谷雷 ¹刘洋 ¹李特 ¹曲轶 ¹刘国军 ¹

作者单位

¹ 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林长春 1300222

² 艾强(上海)贸易有限公司, 上海 200052

图 & 表

戴银, 李林, 苑汇帛, 乔忠良, 孔令沂, 谷雷, 刘洋, 李特, 曲轶, 刘国军. InGaAs/GaAs应变量子阱的发光特性研究[J]. 光学学报, 2014, 34(11): 1131001. Dai Yin, Li Lin, Yuan Huibo, Qiao Zhongliang, Kong Lingyi, Gu Lei, Liu Yang, Li Te, Qu Yi, Liu Guojun. Research on Photoluminescence Properties of InGaAs/GaAs Strained Quantum Well[J]. Acta Optica Sinica, 2014, 34(11): 1131001.