铝纳米颗粒表面等离子体共振峰可控性研究

马守宝; 刘琼; 钱晓晨; 洪瑞金; 陶春先

doi:doi:10.3788/AOS201737.0931001

光学学报, 2017, 37 (9): 0931001, 网络出版: 2018-09-07

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Controllability Study of Surface Plasmon Resonance Spectra of Aluminium Nanoparticles

马守宝 ¹刘琼 ¹钱晓晨 ¹洪瑞金 ^1,2,3陶春先 ^1,2,3,*

作者单位

¹ 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093

² 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093

³ 教育部光学仪器与系统工程中心, 上海 200093

图 & 表

图 1. 不同烘烤温度下Al薄膜的吸收光谱

Fig. 1. Absorption spectra of Al thin films at different baking temperatures

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图 2. 当烘烤温度为(a)150 ℃,(b)200 ℃,(c)300 ℃时,厚度为15 nm的Al薄膜样品的SEM图;(d)(e)Al纳米颗粒的尺寸分布图

Fig. 2. SEM images of 15 nm thick Al thin films when baking temperature is (a) 150 ℃, (b) 200 ℃, (c) 300 ℃; (d)(e) size distributions of Al nanoparticles

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图 3. 300 ℃下不同膜厚的Al纳米颗粒局域表面等离子体共振吸收光谱

Fig. 3. Surface plasmon resonance absorption spectra of Al nanoparticles with different film thicknesses at baking temperature of 300 ℃

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图 4. Al纳米颗粒共振峰位置和强度随膜厚的变化

Fig. 4. Surface plasmon resonance peak position and intensity of Al nanoparticles versus film thickness

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图 5. 不同大小的Al纳米颗粒的局域表面等离子体共振吸收光谱

Fig. 5. Surface plasmon resonance absorption spectra of Al nanoparticles with different diameters

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表 1Al薄膜厚度和相应的烘烤温度

Table1. Al thin film thicknesses and corresponding baking temperatures

Sample number	1	2	3	4	5	6	7	8	9	10	11
Thickness of sample /nm	15	15	15	15	5	8	10	17	20	23	25
Baking temperature /℃	No baking	150	200	300	300	300	300	300	300	300	300

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马守宝, 刘琼, 钱晓晨, 洪瑞金, 陶春先. 铝纳米颗粒表面等离子体共振峰可控性研究[J]. 光学学报, 2017, 37(9): 0931001. Shoubao Ma, Qiong Liu, Xiaochen Qian, Ruijin Hong, Chunxian Tao. Controllability Study of Surface Plasmon Resonance Spectra of Aluminium Nanoparticles[J]. Acta Optica Sinica, 2017, 37(9): 0931001.

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图 1. 不同烘烤温度下Al薄膜的吸收光谱

Fig. 1. Absorption spectra of Al thin films at different baking temperatures

图 2. 当烘烤温度为(a)150 ℃,(b)200 ℃,(c)300 ℃时,厚度为15 nm的Al薄膜样品的SEM图;(d)(e)Al纳米颗粒的尺寸分布图

Fig. 2. SEM images of 15 nm thick Al thin films when baking temperature is (a) 150 ℃, (b) 200 ℃, (c) 300 ℃; (d)(e) size distributions of Al nanoparticles

图 3. 300 ℃下不同膜厚的Al纳米颗粒局域表面等离子体共振吸收光谱

Fig. 3. Surface plasmon resonance absorption spectra of Al nanoparticles with different film thicknesses at baking temperature of 300 ℃

图 4. Al纳米颗粒共振峰位置和强度随膜厚的变化

Fig. 4. Surface plasmon resonance peak position and intensity of Al nanoparticles versus film thickness

图 5. 不同大小的Al纳米颗粒的局域表面等离子体共振吸收光谱

Fig. 5. Surface plasmon resonance absorption spectra of Al nanoparticles with different diameters

表 1Al薄膜厚度和相应的烘烤温度

Table1. Al thin film thicknesses and corresponding baking temperatures

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图 1. 不同烘烤温度下Al薄膜的吸收光谱

Fig. 1. Absorption spectra of Al thin films at different baking temperatures

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Fig. 2. SEM images of 15 nm thick Al thin films when baking temperature is (a) 150 ℃, (b) 200 ℃, (c) 300 ℃; (d)(e) size distributions of Al nanoparticles

图 3. 300 ℃下不同膜厚的Al纳米颗粒局域表面等离子体共振吸收光谱

Fig. 3. Surface plasmon resonance absorption spectra of Al nanoparticles with different film thicknesses at baking temperature of 300 ℃

图 4. Al纳米颗粒共振峰位置和强度随膜厚的变化

Fig. 4. Surface plasmon resonance peak position and intensity of Al nanoparticles versus film thickness

图 5. 不同大小的Al纳米颗粒的局域表面等离子体共振吸收光谱

Fig. 5. Surface plasmon resonance absorption spectra of Al nanoparticles with different diameters

表 1Al薄膜厚度和相应的烘烤温度

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