1 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院，上海 200093
2 上海理工大学 光学仪器与系统教育部工程研究中心，上海 200093
为研究Lumogen （C22H16N2O6）薄膜在真空紫外波段的光致发光特性及辐照损伤，采用热阻蒸发法，以氟化镁为基底制备Lumogen薄膜。使用真空紫外荧光光谱仪、原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）、紫外?可见分光光度计等仪器分别对薄膜的光致发光特性、荧光强度衰减变化、表面形貌、透过率等进行测试与表征。实验结果表明，真空紫外波段的最佳激发波长为160 nm；发射峰宽为500～620 nm，峰值位置是在528 nm处；在160 nm激发波长持续辐照20 h后，发射峰位置的荧光强度由快及慢地从8.76衰减为0.83，整体下降了90.5%；薄膜表面的均方根粗糙度从10.96 nm增加到14.96 nm；160 nm真空紫外光的高光子能量使Lumogen分子中的荧光助色团－OH断裂，薄膜表面受损，造成不可逆的破坏；被真空紫外光持续辐照后的Lumogen薄膜在250～450 nm波段内的透过率下降了约50%。研究结果表明，Lumogen薄膜在持续高能真空紫外光辐照下，薄膜表面会造成损伤，光学性能会下降，为其在紫外探测器件及航空航天领域的应用研究提供一定参考。
Lumogen薄膜 真空紫外辐照 荧光薄膜性能 Lumogen thin film vacuum UV radiation properties of fluorescent thin film 陶春先 1,2,3钱晓晨 1,2,3,*马守宝 1,2,3刘琼 1,2,3[ ... ]张大伟 1,2,3
1 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
2 上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093
3 上海理工大学 教育部光学仪器与系统工程研究中心, 上海 200093
指纹检测是刑事科学技术中的重要组成部分,对案件侦破起着关键的作用。但是在犯罪现场存在的潜在指纹,可见光方法难以看清和照相固定,必须使用特殊的光学检测技术以有效地显现和提取。主要从以下四个方面讨论了目前光学指纹检测的技术现状和不足:(1) 几种提取潜在指纹的主流光学检测方法以及相应特点;(2) 不同光学检测方法对应的发光原理;(3) 不同光源系统的特点和对探测效果产生的影响;(4) 针对一些特殊客体及情况开展的一系列优化指纹所得图样的对策。最后,对现今的一些指纹光学检测技术在疑难客体、自动化和指纹遗留时间方面的不足进行了分析并对未来的发展前景进行了展望。
应用光学 潜在指纹 指纹显现 applied optics latent fingerprints fingerprint revealing 曾媛 1,2,3,4钱晓晨 1,2,3,4顾页妮 1,2,3,4韩朝霞 1,2,3,4陶春先 1,2,3,4
1 上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093
2 上海理工大学 光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
3 上海理工大学 教育部光学仪器与系统工程研究中心, 上海 200093
4 上海理工大学 上海光学仪器研究所, 上海 200093
提出了基于傅里叶变换的双曝光散斑场的全场数字化测量。对双曝光散斑图进行傅里叶变换得到条纹图以灰度归一法和相位构造法将其优化,获取低噪声、高对比度的散斑干涉条纹。平面位移的测量实验结果表明,数字散斑照相技术适合计算机进行自动条纹识别和位移场计算,能得到较为精确的水平位移值,可实现变形场的精准测量。
傅里叶变换 数字散斑照相 变形场 Fourier transform digital speckle photography deformation field
1 上海理工大学光电信息与计算机工程学院, 上海 200093
2 上海市现代光学系统重点实验室, 上海 200093
3 教育部光学仪器与系统工程中心, 上海 200093
在石英基底上制备了铝(Al)薄膜,同时加热烘烤制备了Al纳米颗粒,研究了不同厚度的Al纳米颗粒的吸收特性。结果表明,随着烘烤温度的上升,Al薄膜的粗糙度越来越大;当温度达到300 ℃时,Al薄膜完全转化成Al纳米颗粒。在300 ℃的烘烤温度下,当膜厚从5 nm增加到25 nm时,薄膜的共振吸收峰红移40 nm。这种制备Al纳米颗粒的工艺简单、省时、成本低、效率高。
薄膜 铝纳米颗粒 烘烤温度 表面等离子体共振
采用真空热阻蒸方式在CMOS图像传感器感光面上镀制不同厚度性比价高的Lumogen薄膜.研究发现不同Lumogen薄膜厚度的CMOS传感器的暗电流噪声未发生明显变化，说明真空热蒸发方式对互补金属氧化物半导体器件本身未造成热损伤; 光响应非均匀度随膜厚增加而增大; 动态范围却随膜厚增加而减小; 量子效率随膜厚增加呈现先增大后减小.同时，研究发现敏化膜层最佳厚度为389 nm，此时CMOS传感器的量子效率提高了10%，且光响应非均匀度，动态范围均在相对较好的范围内.
传感器技术 薄膜技术 紫外敏化 互补金属氧化物半导体传感器 荧光材料 量子效率 动态范围 Sensor technology Thin film technology Ultraviolet sensitizing Complementary Metal Oxide Semiconductor(CMOS) Quantum efficiency Dynamic range
