在石英基底上制备了铝(Al)薄膜,同时加热烘烤制备了Al纳米颗粒,研究了不同厚度的Al纳米颗粒的吸收特性。结果表明,随着烘烤温度的上升,Al薄膜的粗糙度越来越大;当温度达到300 ℃时,Al薄膜完全转化成Al纳米颗粒。在300 ℃的烘烤温度下,当膜厚从5 nm增加到25 nm时,薄膜的共振吸收峰红移40 nm。这种制备Al纳米颗粒的工艺简单、省时、成本低、效率高。

利用电子束热蒸发技术在不同氧分压和烘烤温度下镀制了一系列TiO2单层膜，采用表面热透镜技术测量了样品在1064 nm处的弱吸收值，并用激光损伤测试平台测量了样品的抗激光损伤阈值(LIDT)特性。实验结果表明较高的氧分压和较低的烘烤温度能显著减小薄膜的吸收值。不过薄膜在基频下的损伤阈值除了受到薄膜吸收值的影响外，还取决于基底表面的杂质密度，当薄膜吸收较大时，本征吸收对损伤破坏起到主要作用；随着薄膜的吸收逐渐减小，基底表面处的缺陷吸收逐渐取代本征吸收成为影响薄膜损伤阈值的主导因素。

温度烘烤是pn结型器件加速实验的常用方法之一。针对室温工作的短波碲镉汞(HgCdTe)红外探测器开展了真空烘烤实验研究。实验样品分为四组, 对应的烘烤温度分别为60 ℃, 70 ℃, 80 ℃和90 ℃。在实验前后测试了器件的R-V特性曲线, 并进行了R-V特性的理论拟合分析。分析结果表明真空烘烤对器件的影响主要表现在三个方面：串连电阻的增大、隧道电流效应的减弱及产生复合效应的增强。串连电阻的增大主要是由于电极接触电阻在长时间温度烘烤下增加引起的。温度烘烤可以消除能带内的缺陷能级, 从而削弱间接隧道电流对I-V特性的影响。分析推测较高温度的烘烤会损伤器件表面钝化膜的质量, 从而使得器件的产生复合寿命降低。