液晶与显示, 2009, 24 (4): 557, 网络出版: 2010-05-06   

退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响

Effect of Annealing Temperature on Electrical Properties of ZnO-TFT
作者单位
1 河南大学 物理与电子学院,河南 开封 475004
2 西安交通大学 陕西省信息光子技术重点实验室,陕西 西安 710049
引用该论文

张新安, 张景文, 张伟风, 侯洵. 退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响[J]. 液晶与显示, 2009, 24(4): 557.

ZHANG Xin-an, ZHANG Jing-wen, ZHANG Wei-feng, HOU Xun. Effect of Annealing Temperature on Electrical Properties of ZnO-TFT[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2009, 24(4): 557.

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张新安, 张景文, 张伟风, 侯洵. 退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响[J]. 液晶与显示, 2009, 24(4): 557. ZHANG Xin-an, ZHANG Jing-wen, ZHANG Wei-feng, HOU Xun. Effect of Annealing Temperature on Electrical Properties of ZnO-TFT[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2009, 24(4): 557.

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