退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响

张新安; 张景文; 张伟风; 侯洵

液晶与显示, 2009, 24 (4): 557, 网络出版: 2010-05-06

退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响

Effect of Annealing Temperature on Electrical Properties of ZnO-TFT

张新安 ^1,2,*张景文 ²张伟风 ¹侯洵 ^1,2

作者单位

¹ 河南大学物理与电子学院,河南开封 475004

² 西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,陕西西安 710049

图 & 表

张新安, 张景文, 张伟风, 侯洵. 退火温度对ZnO薄膜晶体管电学性能的影响[J]. 液晶与显示, 2009, 24(4): 557. ZHANG Xin-an, ZHANG Jing-wen, ZHANG Wei-feng, HOU Xun. Effect of Annealing Temperature on Electrical Properties of ZnO-TFT[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2009, 24(4): 557.