发光学报, 2016, 37 (12): 1496, 网络出版: 2016-12-06   

氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

Effect of Hydrogen Annealing on The Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown by LPCVD
作者单位
1 江西科技学院 协同创新中心, 江西 南昌330098
2 江西科技学院 管理学院, 江西 南昌330098
3 浙江正泰太阳能科技有限公司, 浙江 杭州310053
基本信息
DOI: 10.3788/fgxb20163712.1496
中图分类号: O484.4;TN304
栏目: 器件制备及器件物理
项目基金: 江西科技学院博士科研启动基金、 “863”国家高技术发展计划(2012AA052401)、 国家自然科学基金(21571095)资助项目
收稿日期: 2016-06-17
修改稿日期: 2016-07-21
网络出版日期: 2016-12-06
通讯作者: 李旺 (kefanliwang@126.com)
备注: --

李旺, 唐鹿, 杜江萍, 薛飞, 辛增念, 罗哲, 刘石勇. 氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响[J]. 发光学报, 2016, 37(12): 1496. LI Wang, TANG Lu, DU Jiang-ping, XUE Fei, XIN Zeng-nian, LUO Zhe, LIU Shi-yong. Effect of Hydrogen Annealing on The Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown by LPCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(12): 1496.

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