氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

李旺; 唐鹿; 杜江萍; 薛飞; 辛增念; 罗哲; 刘石勇

doi:doi:10.3788/fgxb20163712.1496

发光学报, 2016, 37 (12): 1496, 网络出版: 2016-12-06

氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响

Effect of Hydrogen Annealing on The Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown by LPCVD

李旺 ^1,*唐鹿 ¹杜江萍 ²薛飞 ¹辛增念 ¹罗哲 ¹刘石勇 ³

作者单位

¹ 江西科技学院协同创新中心, 江西南昌330098

² 江西科技学院管理学院, 江西南昌330098

³ 浙江正泰太阳能科技有限公司, 浙江杭州310053

图 & 表

李旺, 唐鹿, 杜江萍, 薛飞, 辛增念, 罗哲, 刘石勇. 氢退火对LPCVD生长的ZnO薄膜光学和电学性能的影响[J]. 发光学报, 2016, 37(12): 1496. LI Wang, TANG Lu, DU Jiang-ping, XUE Fei, XIN Zeng-nian, LUO Zhe, LIU Shi-yong. Effect of Hydrogen Annealing on The Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Films Grown by LPCVD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2016, 37(12): 1496.