旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用

钟云肖; 周尚雄; 姚日晖; 蔡炜; 朱镇南; 魏靖林; 徐海涛; 宁洪龙; 彭俊彪

doi:doi:10.3788/fgxb20183902.0214

发光学报, 2018, 39 (2): 214, 网络出版: 2018-03-14

旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用

Fabrication of Zirconia Dielectric Layer by Spin Coating and Its Application in Thin Film Transistor

钟云肖 ^1,*周尚雄 ¹姚日晖 ¹蔡炜 ¹朱镇南 ¹魏靖林 ¹徐海涛 ²宁洪龙 ¹彭俊彪 ¹

作者单位

¹ 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室, 华南理工大学材料科学与工程学院, 广东广州510640

² 华南农业大学电子工程学院, 广东广州510642

引用该论文

钟云肖, 周尚雄, 姚日晖, 蔡炜, 朱镇南, 魏靖林, 徐海涛, 宁洪龙, 彭俊彪. 旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用[J]. 发光学报, 2018, 39(2): 214.

ZHONG Yun-xiao, ZHOU Shang-xiong, YAO Ri-hui, CAI Wei, ZHU Zhen-nan, WEI Jing-lin, XU Hai-tao, NING Hong-long, PENG Jun-biao. Fabrication of Zirconia Dielectric Layer by Spin Coating and Its Application in Thin Film Transistor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(2): 214.

引用列表

1、氧氩比对Ta2O5栅介质薄膜晶体管电学性能的影响液晶与显示, 2021, 36 (12): 1623

2、喷墨打印PVP绝缘层柔性薄膜晶体管研究液晶与显示, 2021, 36 (5): 633

3、基于超薄Al2O3栅绝缘层的低工作电压IGZO薄膜晶体管及其在共源极放大器中的应用发光学报, 2020, 41 (4): 451

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