发光学报, 2018, 39 (2): 214, 网络出版: 2018-03-14   

旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用

Fabrication of Zirconia Dielectric Layer by Spin Coating and Its Application in Thin Film Transistor
作者单位
1 高分子光电材料与器件研究所, 发光材料与器件国家重点实验室, 华南理工大学 材料科学与工程学院, 广东 广州510640
2 华南农业大学 电子工程学院, 广东 广州510642
基本信息
DOI: 10.3788/fgxb20183902.0214
中图分类号: TN321+.5
栏目: 器件制备及器件物理
项目基金: 国家重点研发计划专项(2016YFB0401504)、 国家自然科学基金重大集成项目(U1601651)、 973国家重点基础研究发展规划(2015CB655004)、 广东省自然科学基金(2016A030313459)、 广东省科技计划(2014B090915004,2015B090914003, 2016A040403037,2016B090907001,2016B090906002)、 中央高校基本科研业务费专项资金(2015ZP024,2015ZZ063)资助项目
收稿日期: 2017-06-12
修改稿日期: 2017-08-17
网络出版日期: 2018-03-14
通讯作者: 钟云肖 (z.yunxiao@qq.com)
备注: --

钟云肖, 周尚雄, 姚日晖, 蔡炜, 朱镇南, 魏靖林, 徐海涛, 宁洪龙, 彭俊彪. 旋涂法制备氧化锆介质层及其在薄膜晶体管中的应用[J]. 发光学报, 2018, 39(2): 214. ZHONG Yun-xiao, ZHOU Shang-xiong, YAO Ri-hui, CAI Wei, ZHU Zhen-nan, WEI Jing-lin, XU Hai-tao, NING Hong-long, PENG Jun-biao. Fabrication of Zirconia Dielectric Layer by Spin Coating and Its Application in Thin Film Transistor[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2018, 39(2): 214.

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