太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15 (2): 313, 网络出版: 2017-06-06
双栅无结晶体管阈值电压模型
Threshold voltage model for junctionless double-gate transistors
基本信息
DOI: | 10.11805/tkyda201702.0313 |
中图分类号: | TN32 |
栏目: | 微电子、微系统与物理电子学 |
项目基金: | 教育部博士点基金资助项目( 20133223110003);江苏省自然科学基金资助项目 (BK20130778);江苏省工业支撑计划资助项目 (BE2013130);国家重点实验室基金资助项目 (KFJJ201403) |
收稿日期: | 2015-11-13 |
修改稿日期: | 2016-01-19 |
网络出版日期: | 2017-06-06 |
通讯作者: | 杨可萌 (jasmineykm@hotmail.com) |
备注: | -- |
杨可萌, 李悦, 郭羽涵, 王超, 郭宇锋, 刘陈. 双栅无结晶体管阈值电压模型[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(2): 313. YANG Kemeng, LI Yue, GUO Yuhan, WANG Chao, GUO Yufeng, LIU Chen. Threshold voltage model for junctionless double-gate transistors[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2017, 15(2): 313.