随着制造工艺的不断演进、电路规模的不断增大, 集成电路逐渐进入后摩尔时代。如何准确快速地进行寄生电容参数提取, 对于保证设计质量、减少成本和缩短设计周期变得越来越重要。文章提出了一种基于分段预留法的二维电容提取技术, 该技术基于改进的有限差分法, 采用非均匀网格划分和求解不对称系数矩阵方程, 模拟互连结构横截面, 可以高效计算出主导体的单位长度总电容以及主导体和相邻导体之间的单位长度耦和电容。为了验证提出方法的准确性和有效性, 进行了一系列验证实验。实验结果表明, 提出的互连线二维电容提取技术在寄生电容计算精度上平均提高了140倍, 运行时间平均缩了10%。

基于EPC Class-1 Generation-2协议规定，对工作于全球UHF RFID频段的频率综合器的设计指标进行了分析。采用标准0.18 μm CMOS工艺，集成自适应频率校准模块设计了一种新颖的低相位噪声、快速锁定的小数频率综合器。其中，LC-VCO基于无尾电流源式设计，利用二次谐波滤波技术显著降低了带内相位噪声；自适应频率校准电路则区别于传统的二进制比较法，基于新颖的逐次比较法以减小VCO的4位数控逻辑电压的比较次数，因而可以快速确定VCO的控制字并缩短锁定时间。仿真结果表明，自适应校准阶段的时间仅约6.3 μs，环路整体锁定时间低于23.2 μs，100 kHz频偏处的相位噪声性能为-106.3 dBc/Hz，1 MHz频偏处为-126.1 dBc/Hz，整体功耗为84 mW。与最近发布的先进的CMOS小数频率综合器的性能相比，所设计的小数频率综合器实现了更优的相位噪声性能，同时能以较短的锁定时间以及较低的功耗工作。

基于广义时间常数和传递常数法，提出了一种新颖的快速电路分析方法，同时系统总结归纳了传递函数分子分母所有项的系数及其特征方程的根-零极点的推导。该方法的优势有：1) 无需复杂计算，可快速分析出系统传递函数及零极点，且精确性有保证；2) 分析具备直观性，可指出电路中限制系统带宽的关键因素，方便进行电路拓扑修改；3) 求解精度可依据需求而定。

超宽探地雷达在无损检测系统中应用越来越广泛，采样电路是整个无损系统设计的关键。基于等效采样原理设计出一款新的三极管取样门电路。该电路克服了现有二极管取样门电路的缺点，很好地实现采样保持。利用先进设计系统(ADS)软件对该取样门电路进行仿真，输入脉冲重复频率为 10 MHz的 2 ns三角波信号，采样时钟重复频率为 10 MHz且与被采样信号有 100 ps延时差。对其进行采样，经过该取样门电路后，输出信号为 2 μs。在聚四氟乙烯板上实现该电路，利用信号发生器输入一个 90 ns的正弦波作为被采样信号，采样时钟为 100 ns，经过该取样门电路后，输出信号周期为 1 μs。实测与理论结果都表明该电路可以降低输入信号的频率，实现利用低速 A/D对高速信号的数据采集，大大降低了整个系统的成本。

无结晶体管是近年来纳米 SOI MOS器件领域的研究热点，相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管，基于二维泊松方程，建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件 MEDICI，探讨了栅压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。