1 中国科学院 微电子研究所, 北京 100029
2 西北工业大学 微电子学院, 西安 710129
3 中国科学院大学 微电子学院, 北京 100029
Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管(DGTFET)较传统硅基DGTFET有更好的电学性能。文章基于Sentaurus TCAD仿真软件,构建了有/无Pocket两种结构的Si/Ge异质结DGTFET器件,定量研究了Pocket结构及Pocket区厚度、掺杂浓度等参数对器件开态电流、关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积的影响。通过仿真实验和计算分析发现,Si/Ge异质结DGTFET的开态/关态电流、亚阈值摆幅、截止频率和增益带宽积随Pocket区掺杂浓度增大而增大,而Pocket区厚度对器件性能没有明显影响。研究结果为TFET器件的直流、频率特性优化提供了指导。
异质结 双栅 隧穿场效应晶体管 数值仿真 heterojunction double-gate TFET numerical simulation
1 南京邮电大学 a.电子科学与工程学院
2 b.江苏省射频集成与微组装工程实验室，江苏南京 210023
无结晶体管是近年来纳米 SOI MOS器件领域的研究热点，相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管，基于二维泊松方程，建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件 MEDICI，探讨了栅压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。
无结晶体管 双栅 电势分布 阈值电压 junctionless transistors double -gate potential distribution threshold voltage 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(2): 313
1 清华大学电子工程系 深圳研究生院深圳市信息科学与技术重点实验室，广东深圳 518055
2 信息终端实验室，北京 100084
3 清华大学电子工程系 信息终端实验室，北京 100084
为实现高频地波雷达中的多目标跟踪，有效利用多普勒量测改善系统性能，采用多假设数据关联算法的多目标跟踪系统，提出了多普勒速度优先的二重波门设置和基于扩展卡尔曼滤波(EKF)的多假设算法。基于EKF 的多假设算法，直接利用EKF 过程中得到的参数更新观测向量方差，计算假设的概率，实现多假设数据关联。建立仿真场景，验证了二重波门设置能有效减少杂波干扰，并将基于EKF 的多假设算法与独立假设下引入多普勒速度的关联算法比较，结果表明基于EKF 的多假设算法在高频地波雷达这种较高杂波密度条件下效率更高，捕捉航迹和滤除虚假点迹的能力更强。
多普勒速度 数据关联 二重波门设置 多假设算法 扩展卡尔曼滤波 Doppler velocity data association double gate setting Multiple Hypothesis Tracking Extended Kalman Filter 太赫兹科学与电子信息学报
2015, 13(1): 35
暨南大学 信息科学技术学院电子工程系,广州 510630
二维器件仿真是揭示半导体器件物理机理的有效途径。首先利用二维器件仿真工具构建单栅和双栅多晶硅薄膜晶体管(TFT),并完整地考虑晶界陷阱态的分布规律,即指数分布的带尾态和禁带中央高斯分布的深能态。同时,改变晶界陷阱密度、多晶硅薄膜厚度、温度等条件,以及考虑翘曲(kink)效应,仿真单栅和双栅器件的电流-电压(I-V)特性,分析物理规律,建立对多晶硅TFT器件物理特性的进一步理解。
多晶硅薄膜晶体管 二维器件仿真 陷阱态密度 double-gate polysilicon thin film transistors two-dimensional simulation density of states
