1 南京邮电大学 a.电子科学与工程学院
2 b.江苏省射频集成与微组装工程实验室，江苏南京 210023
无结晶体管是近年来纳米 SOI MOS器件领域的研究热点，相对于传统晶体管具有明显的优势。本文针对全耗尽型无结晶体管，基于二维泊松方程，建立了电势分布解析模型。根据该模型可以得到阈值电压模型。利用建立的解析模型和半导体器件仿真软件 MEDICI，探讨了栅压和器件结构参数对电势分布和阈值电压的影响。该模型简单且与仿真结果吻合良好。
无结晶体管 双栅 电势分布 阈值电压 junctionless transistors double -gate potential distribution threshold voltage 太赫兹科学与电子信息学报
2017, 15(2): 313
