太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15 (2): 313, 网络出版: 2017-06-06  

双栅无结晶体管阈值电压模型

Threshold voltage model for junctionless double-gate transistors
杨可萌 1,2,*李悦 1,2郭羽涵 1,2王超 1,2郭宇锋 1,2刘陈 1,2
作者单位
1 南京邮电大学 a.电子科学与工程学院
2 b.江苏省射频集成与微组装工程实验室,江苏南京 210023
知识挖掘
相关论文
本文相似领域研究进展,
知识服务
本文主要研究领域论文发表情况:
本文研究领域论文发表情况(统计图):

杨可萌, 李悦, 郭羽涵, 王超, 郭宇锋, 刘陈. 双栅无结晶体管阈值电压模型[J]. 太赫兹科学与电子信息学报, 2017, 15(2): 313. YANG Kemeng, LI Yue, GUO Yuhan, WANG Chao, GUO Yufeng, LIU Chen. Threshold voltage model for junctionless double-gate transistors[J]. Journal of terahertz science and electronic information technology, 2017, 15(2): 313.

关于本站 Cookie 的使用提示

中国光学期刊网使用基于 cookie 的技术来更好地为您提供各项服务,点击此处了解我们的隐私策略。 如您需继续使用本网站,请您授权我们使用本地 cookie 来保存部分信息。
全站搜索
您最值得信赖的光电行业旗舰网络服务平台!