发光学报, 2019, 40 (11): 1409, 网络出版: 2019-11-28   

InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器

Controlled Fabrication InSe/Se Van Der Waals Heterojunction for High Responsivity Broadband Photodetectors
作者单位
1 哈尔滨工业大学 物理学院, 黑龙江 哈尔滨 150080
2 哈尔滨工业大学 化工与化学学院, 黑龙江 哈尔滨 150080
3 哈尔滨工业大学 微系统与微结构制造教育部重点实验室, 黑龙江 哈尔滨 150080
引用该论文

陈洪宇, 尚慧明, 戴明金, 王月飞, 李炳生, 胡平安. InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器[J]. 发光学报, 2019, 40(11): 1409.

CHEN Hong-yu, SHANG Hui-ming, DAI Ming-jin, WANG Yue-fei, LI Bing-sheng, HU Ping-an. Controlled Fabrication InSe/Se Van Der Waals Heterojunction for High Responsivity Broadband Photodetectors[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2019, 40(11): 1409.

陈洪宇, 尚慧明, 戴明金, 王月飞, 李炳生, 胡平安. InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器[J]. 发光学报, 2019, 40(11): 1409. CHEN Hong-yu, SHANG Hui-ming, DAI Ming-jin, WANG Yue-fei, LI Bing-sheng, HU Ping-an. Controlled Fabrication InSe/Se Van Der Waals Heterojunction for High Responsivity Broadband Photodetectors[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2019, 40(11): 1409.

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