发光学报, 2019, 40 (11): 1409, 网络出版: 2019-11-28
InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器
Controlled Fabrication InSe/Se Van Der Waals Heterojunction for High Responsivity Broadband Photodetectors
基本信息
| DOI: | 10.3788/fgxb20194011.1409 |
| 中图分类号: | TN304 |
| 栏目: | 器件制备及器件物理 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61874037,61505033)、 国家博士后科学基金(2017M621254,2018T110280)、 黑龙江省博士后科学基金(LBH-TZ1708)、 哈尔滨工业大学微系统与微结构制造教育部重点实验室开放课题(2017KM003)、 哈尔滨工业大学创新课题(HIT.NSRIF.2019060)资助项目 |
| 收稿日期: | 2019-07-12 |
| 修改稿日期: | 2019-08-20 |
| 网络出版日期: | 2019-11-28 |
| 通讯作者: | 陈洪宇 (chenhy@hit.edu.cn) |
| 备注: | -- |
陈洪宇, 尚慧明, 戴明金, 王月飞, 李炳生, 胡平安. InSe/Se范德瓦尔斯异质结的可控制备及其高响应度广光谱光电探测器[J]. 发光学报, 2019, 40(11): 1409. CHEN Hong-yu, SHANG Hui-ming, DAI Ming-jin, WANG Yue-fei, LI Bing-sheng, HU Ping-an. Controlled Fabrication InSe/Se Van Der Waals Heterojunction for High Responsivity Broadband Photodetectors[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2019, 40(11): 1409.
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