曹涧秋 1,2,3刘爱民 1,2,3陈毛妮 1,2,3田源 1,2,3[ ... ]陈金宝 1,2,3,*
作者单位
摘要
1 国防科技大学前沿交叉学科学院,湖南 长沙 410073
2 国防科技大学南湖之光实验室,湖南 长沙 410073
3 国防科技大学高能激光技术湖南省重点实验室,湖南 长沙 410073
中国激光
2023, 50(22): 2216001
作者单位
摘要
1 昆明物理研究所,云南 昆明 650223
2 大连理工大学 物理学院,辽宁 大连 116024
利用二极管电流解析模型分析了InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制。首先,通过变面积二极管I-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO2复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,利用扩散电流、产生复合电流、直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流模型对InAs/GaSb超晶格长波红外探测器的暗电流进行拟合分析。结果表明:在小的反向偏压下(≤60 mV),器件暗电流主要由产生复合电流主导,而在高偏压下(>60 mV),器件暗电流则主要由缺陷陷阱辅助隧穿电流主导。并分析了吸收层掺杂浓度对这两种电流的影响,证实5×1015~1×1016 cm−3是优化的掺杂浓度。
InAs/GaSb超晶格 长波红外探测器 异质pN结 暗电流 InAs/GaSb superlattice longwave infrared detector pN hetero-junction dark current 
红外与激光工程
2022, 51(4): 20210399
作者单位
摘要
1 昆明物理研究所, 云南昆明 650223
2 大连理工大学物理学院, 辽宁大连 116024
本文通过 k.p方法研究了传统 InAs/GaSb超晶格和 M结构超晶格的能带结构。首先, 计算了不同周期厚度的 InAs/GaSb超晶格的能带结构, 得到用于长波超晶格探测器吸收层的周期结构。然后, 计算了用于超晶格长波探测器结构的 M结构超晶格的能带结构, 并给出长波 InAs/GaSb超晶格与 M结构超晶格之间的带阶。最后, 基于能带结构, 计算出长波超晶格与 M结构超晶格的态密度, 进而得出的载流子浓度(掺杂浓度)与费米能级的关系。这些材料参数可以为超晶格探测器结构设计提供基础。
k.p方法 InAs/GaSb超晶格 M结构超晶格 能带结构 掺杂浓度 k.p method, InAs/GaSb superlattice, M structure su 
红外技术
2021, 43(7): 622
陈金宝 1,2,3,*曹涧秋 1,2,3黄值河 1,2,3潘志勇 1,2,3[ ... ]刘爱民 1,2,3
作者单位
摘要
1 国防科技大学前沿交叉学科学院, 长沙 410073
2 高能激光技术湖南省重点实验室, 长沙 410073
3 大功率光纤激光湖南省协同创新中心, 长沙 410073
高功率光纤振荡器因具有结构简单、性能稳定、成本低等优点而备受关注。2017年国防科技大学利用自主研发的分布式侧面耦合包层抽运光纤,实现了多级级联分布式侧面抽运光纤振荡器的3 kW量级功率输出,其受激拉曼抑制超过52 dB,验证了多级级联分布式抽运方案在拉曼抑制方面的优势。实验结构示意图及实验结果如图1所示,图1(b)插图为分布式侧面耦合包层抽运光纤横截面示意图。图1(a)中1为抽运纤芯,2为信号纤掺镱纤芯,3为信号纤内包层,4为外包层。
中国激光
2018, 45(3): 0315002
作者单位
摘要
1 大连理工大学 物理与光电工程学院,辽宁 大连116024
2 长春理工大学 理学院,吉林 长春130022
采用原子层沉积设备在p型单晶制绒硅上制备了不同厚度的AlOx薄膜。通过研究AlOx薄膜厚度对样品的反射率、少数载流子寿命以及电容-电压特性的影响,发现沉积32 nm的AlOx薄膜样品具有最好的钝化效果。另外,通过计算Si/AlOx界面处的固定电荷密度和缺陷态密度,发现32 nm 厚的AlOx薄膜样品具有最低的缺陷态密度。系统研究了单晶硅材料的表面钝化机制,给出了影响样品载流子寿命的根本来源。
氧化铝 原子层沉积 钝化 准稳态光电导 AlOx atomic layer deposition(ALD) passivation quasi steady state photo conductance(QSSPC) 
发光学报
2016, 37(2): 192
作者单位
摘要
渤海大学新能源学院, 辽宁 锦州 121000
对过去10年晶硅太阳能电池的市场发展情况进行了详细概述,阐明了晶硅电池在未来光伏发电领域所占据的重要地位。从影响晶硅电池组件成本和效率的各种因素出发,对影响晶硅太阳能电池发电成本的各种因素进行了详细剖析。从晶硅太阳能电池组件生产流程的角度看,尽管组件封装部分的成本比重最大,但组件成本的降低却主要依赖于硅锭生长、切片及电池加工等几个部分技术水平的不断提高。从生产过程的基本要素角度看,不断降低组件加工过程中的原材料成本和持续改进加工技术,将是降低晶硅电池组件成本的基本途径。最后,结合晶硅电池的最新技术报道,分别从晶硅电池生产流程和增效技术角度对其各项技术的未来发展趋势进行了展望。
晶硅太阳能电池 成本 效率 发展趋势 
激光与光电子学进展
2013, 50(3): 030002

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