1 大连理工大学 物理与光电工程学院,辽宁 大连116024
2 长春理工大学 理学院,吉林 长春130022
采用原子层沉积设备在p型单晶制绒硅上制备了不同厚度的AlOx薄膜。通过研究AlOx薄膜厚度对样品的反射率、少数载流子寿命以及电容-电压特性的影响，发现沉积32 nm的AlOx薄膜样品具有最好的钝化效果。另外，通过计算Si/AlOx界面处的固定电荷密度和缺陷态密度，发现32 nm 厚的AlOx薄膜样品具有最低的缺陷态密度。系统研究了单晶硅材料的表面钝化机制，给出了影响样品载流子寿命的根本来源。
氧化铝 原子层沉积 钝化 准稳态光电导 AlOx atomic layer deposition(ALD) passivation quasi steady state photo conductance(QSSPC)
