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Abstract
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, College of Materials Science and Opto-Electronic Technology, University of Chinese Academy of Sciences, Beijing Key Laboratory of Low Dimensional Semiconductor Materials and Devices, Beijing 100083, China
We report 20 Gb/s transmission of four-level pulse amplitude modulation (PAM) signal using a directly modulated tunable distributed Bragg reflector (DBR) laser. Transmission distance over 20 km was achieved without using optical amplifiers and optical dispersion compensation modules. A wavelength tuning range of 11.5 nm and a 3 dB bandwidth greater than 10 GHz over the entire wavelength tuning range were obtained.
140.5960 Semiconductor lasers 250.5300 Photonic integrated circuits 140.3600 Lasers, tunable Chinese Optics Letters
2018, 16(9): 091401
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室, 北京 100083
采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP多量子阱有源层，制备出带宽为25 Gb/s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器。激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535 nm和1497 nm，偏调约为38 nm。利用全息技术在激光器区制备光栅，集成器件激射在1549 nm波长处，器件的阈值电流为18 mA，在100 mA直流电流下出光功率大于10 mW。器件工作在单模状态，边模抑制比大于40 dB，与单模光纤耦合后测得的静态消光比为23 dB,器件的3 dB响应带宽为16 GHz。调制器偏压为-1.7 V,峰峰值电压为3.5 V,在25 Gb/s非归零伪随机二进制码（215-1）调制下测得器件的背靠背眼图清晰张开，动态消光比大于5.7 dB。器件具有低成本、高带宽的特点，是下一代光纤通信网络的理想光源。
激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 选择区域生长 光学学报
2015, 35(s1): s114001
中国科学院半导体研究所 材料开放实验室，北京 100083
设计并研制了一种新的直脊波导集总型电吸收调制器——集总型双耗尽电吸收调制器(DEAM)。同时，作为实验对照组，还制备了一种普通有源区结构的电吸收调制器(NEAM)。两种器件的测试结果对比分析表明，DEAM的电容明显要小于NEAM。脊波导长度为250μm，宽度为2.5μm的DEAM在-3V偏压下电容为0.225pF，对应的调制带宽估算为28.3GHz；1550nm输入波长条件下，DEAM在偏压为-1V至-2V之间调制效率最大，达到10dB/V，而-3V、-6V下的调制深度分别为22dB和26dB，满足40Gbit/s光纤通信要求。
“双耗尽”有源区 电容 静态消光比 RC常数 电荷层 dualdepletion active region capacitance static DC extinction ratio (ER) RCtime constant charge layer
