采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP多量子阱有源层，制备出带宽为25 Gb/s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器。激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535 nm和1497 nm，偏调约为38 nm。利用全息技术在激光器区制备光栅，集成器件激射在1549 nm波长处，器件的阈值电流为18 mA，在100 mA直流电流下出光功率大于10 mW。器件工作在单模状态，边模抑制比大于40 dB，与单模光纤耦合后测得的静态消光比为23 dB,器件的3 dB响应带宽为16 GHz。调制器偏压为-1.7 V,峰峰值电压为3.5 V,在25 Gb/s非归零伪随机二进制码（215-1）调制下测得器件的背靠背眼图清晰张开，动态消光比大于5.7 dB。器件具有低成本、高带宽的特点，是下一代光纤通信网络的理想光源。