对KDP晶体旋转涂膜过程中的技术问题进行了探讨，包括元件夹持安全性、膜层均匀性、膜层透射比、膜层疏水性能、膜层激光损伤阈值等。分析了晶体元件加速旋转阶段的受力情况，明确了KDP晶体元件在旋涂操作过程中受力状态的安全性。对不同溶剂体系的膜层均匀性进行了判断，在400 mm尺寸的元件上获得了透射比均匀性为0.3%的减反膜。对溶胶进行稳态剪切流变分析得知，在现有的涂膜转速 (对应剪切速率100~200 s-1)范围内，其粘度随着剪切速率的增加几乎不变，近似牛顿流体。在旋涂过程中，处于基底不同位置的溶胶的粘度大致相等，这是影响膜层均匀性的重要原因之一。膜层疏水性能较好，水接触角测试结果大于152°。在SiO2基底上制备的减反膜，1053 nm处透射比大于99.8%。在熔石英基片上制备的三倍频减反膜样品的激光损伤阈值约为10 J/cm2(355 nm, 3 ns)。

以正硅酸乙酯（TEOS）和六甲基二硅氮烷（HMDS）为前驱体，研究了引入聚乙烯吡咯烷酮（PVP）对膜层的影响，在碱催化条件下制备了改性的二氧化硅溶胶，并采用提拉涂膜的方法在石英基底上涂膜。对不同组分的薄膜，先经热处理或紫外辐照处理，然后用十八烷基三氯硅烷（OTS）/甲苯溶液对膜层表面进行化学修饰，制备出疏水性能良好的纳米二氧化硅自组装薄膜，分析了不同后处理方法对膜层透过率、接触角、膜层表面微观形貌和激光损伤阈值影响。实验结果表明：溶胶中加入PVP提高了膜层的平整度，经OTS改性后膜层疏水性和激光损伤阈值均得到提高。

分析了采用旋转涂膜法制备溶胶-凝胶SiO2减反膜过程中条纹缺陷产生的机理, 利用含氟醇类试剂对减反膜溶胶进行改性, 使溶胶链段柔顺性及流动性得到改善。在光学显微镜下对改性前后的膜层进行了对比和分析, 对膜层的表面形貌、表面粗糙度以及透射比等特性进行了表征。结果表明:溶胶改性之后的膜层未出现条纹缺陷, 表面粗糙度均方根值从4.55 nm下降到小于1.00 nm, 膜层表面质量有了较大提高;改性前后膜层的增透性能相当,在熔石英基片上制备的膜层峰值透射比为99.60%~99.89%, 膜层激光损伤阈值为21.0~25.3 J/cm2。