对KDP晶体旋转涂膜过程中的技术问题进行了探讨，包括元件夹持安全性、膜层均匀性、膜层透射比、膜层疏水性能、膜层激光损伤阈值等。分析了晶体元件加速旋转阶段的受力情况，明确了KDP晶体元件在旋涂操作过程中受力状态的安全性。对不同溶剂体系的膜层均匀性进行了判断，在400 mm尺寸的元件上获得了透射比均匀性为0.3%的减反膜。对溶胶进行稳态剪切流变分析得知，在现有的涂膜转速 (对应剪切速率100~200 s-1)范围内，其粘度随着剪切速率的增加几乎不变，近似牛顿流体。在旋涂过程中，处于基底不同位置的溶胶的粘度大致相等，这是影响膜层均匀性的重要原因之一。膜层疏水性能较好，水接触角测试结果大于152°。在SiO2基底上制备的减反膜，1053 nm处透射比大于99.8%。在熔石英基片上制备的三倍频减反膜样品的激光损伤阈值约为10 J/cm2(355 nm, 3 ns)。

分析了采用旋转涂膜法制备溶胶-凝胶SiO2减反膜过程中条纹缺陷产生的机理, 利用含氟醇类试剂对减反膜溶胶进行改性, 使溶胶链段柔顺性及流动性得到改善。在光学显微镜下对改性前后的膜层进行了对比和分析, 对膜层的表面形貌、表面粗糙度以及透射比等特性进行了表征。结果表明:溶胶改性之后的膜层未出现条纹缺陷, 表面粗糙度均方根值从4.55 nm下降到小于1.00 nm, 膜层表面质量有了较大提高;改性前后膜层的增透性能相当,在熔石英基片上制备的膜层峰值透射比为99.60%~99.89%, 膜层激光损伤阈值为21.0~25.3 J/cm2。

采用化学气相沉积技术,利用旋转涂膜法制备催化剂基底材料,通过对涂膜过程中的角速度、旋转时间以及基底还原过程中温度的控制改变催化剂颗粒的分布状态,获得了粒径均匀分布的催化剂基底,该基底上催化剂颗粒集中分布在47～62 nm区间,再利用该基底生长出定向碳纳米管阵列.运用扫描电镜、透射电镜、拉曼光谱仪对样品进行了表征.结果表明旋转涂膜法制备的基底平整性好于普通的滴膜法,且较其它基底制备方法具有简单易控、可使催化剂均匀分散等特点.利用该基底制备的碳纳米管阵列定向性良好.