北京工业大学 电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室，北京 100124
利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先，对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究，研究发现在较低46cm3/min的CP2Mg源流量下，晶体质量和导电性能都有所改善，获得了较高空穴浓度，为8.73×1017cm-3，（002）和（102）面FWHM分别为245和316arcsec。随后，采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响，发现加入生长停顿后，样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善，反而下降。
薄膜 p型GaN Delta 掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积 thin films p-GaN Delta doped low source flux MOCVD
1 北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
2 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所, 江苏 苏州 215123
采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN隔离层厚度的AlGaN/AlN/GaN结构的高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。研究了AlN隔离层对HEMT材料电学特性的影响。AlN隔离层厚度约为1.5 nm的HEMT材料，二维电子气浓度和迁移率分别达到1.2×1013 cm-2和1680 cm2/Vs、方块电阻低至310 Ω，体现了HEMT材料良好的电学性能。原子力显微镜和高分辨X射线衍射测试结果显示HEMT材料具有较好的表面形貌和异质结界面，较好的异质结界面也有利于增强HEMT材料的二维电子气浓度和迁移率。
材料 高电子迁移率晶体管 电学性质 二维电子气 迁移率
北京工业大学电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
采用改变生长条件的方法制备GaN薄膜, 在(0001)面蓝宝石衬底上利用金属有机物化学气相沉积技术制备了不同样品, 并借助X射线双晶衍射仪(XRD)、PL谱测试仪和光学显微镜对材料进行了分析。XRD(0002)面和(1012)面测试均表明TMGa流量为70 cm3/min时样品位错密度最低。利用该TMGa流量进一步制备了改变生长温度的样品。XRD和PL谱测试结果表明, 提高生长温度有利于提高GaN样品的晶体质量和光学性能。最后, 利用光学显微镜对样品的表面形貌进行了分析。
金属有机物化学气相沉积(MOCVD) 非掺杂氮化镓(GaN) X射线双晶衍射(DCXRD) 光致荧光(PL)光谱 metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) non-doped GaN double-crstal X-ray diffraction photoluminescence spectra
