北京工业大学 电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室，北京 100124
利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先，对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究，研究发现在较低46cm3/min的CP2Mg源流量下，晶体质量和导电性能都有所改善，获得了较高空穴浓度，为8.73×1017cm-3，（002）和（102）面FWHM分别为245和316arcsec。随后，采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响，发现加入生长停顿后，样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善，反而下降。
薄膜 p型GaN Delta 掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积 thin films p-GaN Delta doped low source flux MOCVD
泉州师范学院 物理与信息工程学院, 福建 泉州 362000
采用真空热蒸镀方法, 制备了四种Delta掺杂结构OLED器件, 其结构为: ITO/m-MTDATA(50nm)/LiF(xnm)/NPB(10nm)/Alq( 5nm)/C545T(0.05nm)/Alq(55nm)/LiF(1nm)/Al, 都获得了性能稳定的绿色OLED器件。从实验结果分析可知: 绿色OLED器件的电流-电压(I-V)特性曲线、亮度-电压(L-V)曲线、亮度-电流(L-I)曲线及效率等光电性能随着LiF厚度的变化而随之改变。从其中总结规律,对OLED器件制作工艺有一定的指导作用。
多层结构 有机电致发光 Delta掺杂 光电性能 multilayer structure organic light-emitting device Delta doping optoelectronic performance
