铸造单晶硅太阳电池由于性价比高, 在晶硅太阳能市场占有越来越重要的地位。文章以B和Ga共掺杂的铸造单晶硅钝化发射和背面(PERC)电池为研究对象, 采用现有工业生产的电注入退火方法, 分别进行了260和180℃温度下的不同电注入条件退火处理和随后的光致衰减(LID)效应分析。分析表明: 经180℃的电注入退火处理, 电池效率的变化率为-0.64%, 经60kW·h的光照后, 电池效率比退火前降低了2.79%。而经过260℃的电注入退火处理后, 电池效率提高1.12%, 且经60kW·h的光照后, 电池效率比退火前仅下降1.96%。这些结果说明, 260℃的电注入退火条件更适用于铸造单晶硅电池的抗LID处理。

随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高，由于光致衰减（LID）造成的效率损失问题也日益突显。文章通过光辐照的方式分别对电池片和经过光衰处理后的电池片进行抑制光衰和光衰恢复处理，前者光衰幅度极大下降，后者光衰得到很好的恢复，并且达到了一个相对稳定的状态，表明光恢复处理可以很好地改善掺硼p型晶体硅太阳电池的LID现象。特别地，针对p型高效电池结构钝化发射区和背表面电池（PERC）技术来说，光恢复处理工艺基本上克服了LID的现象，24h光衰幅度仅为0.03%。LID现象的解决，将为PERC技术的大规模推广奠定基础。

采用高温固相法合成了Sr2.95SiO5:0.05Eu荧光粉,借助X射线衍射仪、光谱仪、激光粒度仪、扫描电子显微镜等分析测试方法分别对荧光粉的晶相、激发与发射光谱、粒度分布、表面形貌等进行了表征,进而分析了坩埚的加盖工艺对产物性能的影响.实验结果显示：随着坩埚严密程度的增加,产物在蓝光激发下的发光强度增大.坩埚加盖有利于得到Sr3SiO5相纯度高的产物.加盖后,得到的样品颗粒尺寸较大,但是粒径分布均匀.

分析了氘化锂与聚变DT等离子体的相互作用，采用蒙特卡罗方法计算了在密度500 g/cm3、燃料半径100 μm条件下的作用参数。结果表明：热斑加热的电子需要最小能量为4.65 MeV，氘离子需要的最小能量为122.83 MeV， 沉积在热斑中的最大能量为34.43 MeV，锂离子最小能量为368.5 MeV;最小电流强度为1.15×107 A。电子、氘离子、锂离子在等离子体中沉积时间分别为0.07，0.49，0.64 ps，均小于1 ps。采用氘化锂作为加热粒子源，克服了其他单离子加热热斑的方法遇到的一些困难，是一种较好的方法。

对采用胶粘剂密封盖板的CCD器件密封失效现象进行了失效分析, 得到了主要的失效原因: 水气、胶黏剂的混合以及固化程序, 并通过改进措施, 使CCD器件的密封合格率得到大幅提升, 达到了98%, 表明胶封工艺达到了实用化水平。

运用量子力学从头计算方法, 计算了氢化锂(氘化锂、氚化锂)分子的部分热力学函数和力学、光谱学性质。基于准简谐Debye模型, 计算了固体Li的振动内能、振动和电子熵, 探讨了Li吸收氢同位素气体生成一氢化物的反应熵变、生成焓变和生成Gibbs自由能及氢同位素的平衡离解压。结果显示: 在Li吸收同位素气体生成一氢化物的反应中, 生成焓变和反应熵变均为负值, 且随温度升高, 绝对值越大, Gibbs自由能则向正的方向增加。热力学上, 在相同温度和压力下, 氢置换一氢化物中的氘和氚、及氘置换氚的反应更易发生。