随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高，由于光致衰减（LID）造成的效率损失问题也日益突显。文章通过光辐照的方式分别对电池片和经过光衰处理后的电池片进行抑制光衰和光衰恢复处理，前者光衰幅度极大下降，后者光衰得到很好的恢复，并且达到了一个相对稳定的状态，表明光恢复处理可以很好地改善掺硼p型晶体硅太阳电池的LID现象。特别地，针对p型高效电池结构钝化发射区和背表面电池（PERC）技术来说，光恢复处理工艺基本上克服了LID的现象，24h光衰幅度仅为0.03%。LID现象的解决，将为PERC技术的大规模推广奠定基础。

针对大视场线阵CCD图像不均匀现象,提出了一种基于图像像素灰度补偿的均匀化方法.首先分析并计算线形目标上不同坐标位置的微小面元在线阵CCD 上产生的辐射照度,并由此推导线阵CCD 面元上不同像素灰度值与中心像素灰度值之间的关系,进而建立大视场线阵CCD 像面上像素的灰度补偿模型,实现大视场线阵CCD图像快速均匀化的目的.对大量线阵CCD 采集的高速路面图像进行了处理,结果表明我们提出的方法具有较强的可行性、鲁棒性和实用性.

针对电化学湿法刻蚀硅微加工需求, 基于LabVIEW软件开发平台, 利用上位机、可编程直流稳压电源PSM-6003、低温控制和LED光辐照等设备搭建了一种新型可编程电化学湿法刻蚀装置。其中基于LabVIEW的PSM-6003上位机控制软件, 可以通过图形界面对系统各种参数实时设置, 例如刻蚀电压幅值、刻蚀脉冲频率和占空比、刻蚀电流和刻蚀时间以及刻蚀系统的辅助光照和环境温度等, 系统各参数监控和动作执行主要利用美国NI公司PCI-6221数据卡实现。该系统成本低、操作简便、可模块化安装, 对促进实验室电化学湿法刻蚀微加工设备的研制有重要借鉴意义。

以InGaAs pin管为例，研究了光电二极管在激光脉冲作用下非线性响应的内部机理特征，计算分析了二极管在强光辐照下内部空间电荷屏蔽效应对器件光电响应特性产生的影响.通过计算耗尽区的电场强度、载流子分布和电子空穴的漂移速度，发现低偏置电压或强光辐照都会使耗尽区的电场强度下降，载流子的漂移和扩散速度降低到非饱和状态，使光生载流子的复合率下降，大量载流子聚集在耗尽区内，形成了空间电荷屏蔽效应，导致二极管呈非线性响应状态.在5 V偏置电压条件下，增加皮秒激光的脉冲能量，光电二极管的光伏电压响应脉宽逐渐展宽，峰值电压呈非线性变化.

利用Janis CCS-350制冷机(最低可达10 K)提供低温环境, 从室温到200 K, 利用真空泵持续抽取真空, 使氧缺陷YBa2Cu3O7-x(YBCO)超导体中的氧重新分布。实验表明, 在缺氧环境下, 样品氧缺陷现象加剧, 超导临界温度降低, 直至到正常态, 利用原位光辐照氧缺陷YBCO样品产生持续光电导效应或光诱导超导电性效应, 可以部分地抵消氧缺陷对超导电性所引起的破坏, 而对YBCO,x<0.1时, 其转变温度Tc高于90 K的样品, 在缺氧环境下, 样品氧缺陷现象变化和光辐照效应不明显。讨论了YBCO超导体在能隙比一般半导体光电材料至少要窄约二个数量级, 又具有较高的光学吸收系数的情况下, 光子作用下高温超导体内各种元激发之间的相互作用过程, 对实际应用YBCO超导体光学性能, 理解机制设计仪器有现实意义。