随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高，由于光致衰减（LID）造成的效率损失问题也日益突显。文章通过光辐照的方式分别对电池片和经过光衰处理后的电池片进行抑制光衰和光衰恢复处理，前者光衰幅度极大下降，后者光衰得到很好的恢复，并且达到了一个相对稳定的状态，表明光恢复处理可以很好地改善掺硼p型晶体硅太阳电池的LID现象。特别地，针对p型高效电池结构钝化发射区和背表面电池（PERC）技术来说，光恢复处理工艺基本上克服了LID的现象，24h光衰幅度仅为0.03%。LID现象的解决，将为PERC技术的大规模推广奠定基础。

N型晶体太阳电池由于少子寿命高、光致衰减低、弱光响应好等优点, 近年来在高效率低成本太阳电池领域一直备受关注。利用PC1D模拟, 对N型背发射极晶体硅太阳电池进行了分析。结果表明, 背发射极掺杂浓度、结深、背表面复合速率、前表面掺杂浓度及复合速率都对电池转换效率有较大影响, 尤其是电池前表面与背表面复合速率对电池性能的影响最为明显, 而电池前表面场掺杂深度则对电池性能影响较小。对于前表面复合来说, 当前表面复合速率小于1×103 cm/s时, 电池性能受表面复合速率变化的影响很小；但复合速率超过1×103 cm/s后, 电池转换效率快速下降。背表面复合对电池效率影响则更明显, 当背表面复合速率超过1×104 cm/s后, 电池转换效率急剧下降, 在背表面复合速率增大到1×106 cm/s时, 电池效率下降到不足5%, 而在电池背表面复合速度较小时(10~103 cm/s)则可获得较高的转换效率。

提高太阳电池光电转换效率、降低光伏发电成本已成为全球光伏领域的研究热点。由于n型晶体Si具有体少子寿命长、光致衰减小等优点，非常适于制作低成本高效率太阳电池，近年来高效率n型Si太阳电池引起了人们广泛的关注。文章在论述n型Si特性的基础上，介绍了IBC结构、PERT结构、HIT结构、PERL结构和常规电池结构n晶体Si太阳电池的研究进展及产业化水平，给出了n型Si电池今后的研究方向。