1 南京航空航天大学 材料科学与技术学院, 江苏省能量转换材料与技术重点实验室, 南京 211106
2 苏州腾晖光伏技术有限公司 研发部, 江苏 常熟 215542
分别使用掺镓和常规掺硼单晶硅片制备了太阳电池与组件, 对电池进行了光照和空焊处理, 再采用Halm电池电性能测试仪测试了两种单晶硅太阳电池和组件在光照和空焊实验前后的光电性能。实验结果表明, 在相同光照条件下, 采用掺镓单晶硅片所制太阳电池的光衰率比用掺硼单晶硅片的低0.91%。空焊后的掺镓单晶硅太阳电池各项光电性能参数的一致性没有出现明显变化, 这有利于减少太阳电池之间的失配损失。还发现掺镓单晶硅太阳电池组件的CTM(cell to module)值高于掺硼单晶硅太阳电池组件的CTM值。总之, 掺镓单晶硅太阳电池能更好地抑制光致衰减效应, 并减小串焊工艺对太阳电池光电性能的影响, 获得更高的太阳电池组件功率。
掺镓单晶硅 太阳电池 太阳电池组件 光致衰减 空焊 CTM值 Ga-doped monocrystalline silicon solar cell solar cell module light-induced degradation soldering without welding rod CTM ratio
1 南京航空航天大学 材料科学与技术学院, 江苏省能量转换与技术重点实验室, 南京 210016
2 苏州腾晖光伏科技有限公司 研发部, 江苏 常熟 215542
对掺镓和掺硼的二种多晶硅钝化发射极和背面电池进行了电注入退火研究, 分别用Halm电学性能测试仪和量子效率测试仪分析了它们在不同条件处理后的电学性能和外量子效率变化.结果表明, 以8.0 A的注入电流在260℃的温度下处理2 h, 有利于促进电池由衰减态向再生态转变, 电注入退火后电池的转换效率增加了0.83%, 在光照5 h后比初始值仅衰减了0.61%.电注入退火能有效降低多晶硅钝化发射极和背面电池的光致衰减效应, 掺镓多晶硅钝化发射极和背面电池具有更低的光致衰减效应, 相比掺硼多晶硅钝化发射极和背面电池光致衰减值降低了约50%.
光电材料 太阳能 电注入退火 多晶硅钝化发射极和背面电池 光致衰减效应 Photoelectric material Solar energy Electrical injection annealing Multi-cryatalline silicon passivated emitter and r Light induced degradation
1 横店集团东磁股份有限公司，浙江 东阳 322118
2 浙江大学 硅材料国家重点实验室，杭州 310027
随着p型晶体硅太阳电池转换效率的不断提高，由于光致衰减（LID）造成的效率损失问题也日益突显。文章通过光辐照的方式分别对电池片和经过光衰处理后的电池片进行抑制光衰和光衰恢复处理，前者光衰幅度极大下降，后者光衰得到很好的恢复，并且达到了一个相对稳定的状态，表明光恢复处理可以很好地改善掺硼p型晶体硅太阳电池的LID现象。特别地，针对p型高效电池结构钝化发射区和背表面电池（PERC）技术来说，光恢复处理工艺基本上克服了LID的现象，24h光衰幅度仅为0.03%。LID现象的解决，将为PERC技术的大规模推广奠定基础。
p型晶硅 光致衰减 光辐照 光衰恢复 钝化发射区和背表面电池 p-type crystalline degradation LID regeneration PERC
