1 郑州职业技术学院材料工程系，郑州 450121
2 山东农业大学机械与电子工程学院，泰安 271000
3 齐鲁理工学院机电工程学院，济南 250200
通过可控的化学腐蚀法完成了对碳化硅量子点的制备，而后经超声空化作用及高速层析裁剪获得水相的碳化硅量子点溶液，利用化学偶联法，一步实现了SiC量子点的表面物化特性调控。通过对制备工艺参数调整前后量子点微观形貌、光谱特性的表征，结果表明：腐蚀次数、腐蚀剂组分及腐蚀剂配比是影响碳化硅量子点光致发光效率的主要因素，调整腐蚀次数与腐蚀剂组分的配比，同时加入偶联剂分析纯硫酸，当以V(HF)∶V(HNO3)∶V(H2SO4)=6∶1∶1(体积比)的组分及比例腐蚀球磨后的β-SiC粉体时，制备出的水相碳化硅量子点光致发光相对强度最为理想。同时对碳化硅量子点表面巯基的形成机制与修饰稳定性进行了初步分析。
碳化硅量子点 化学腐蚀法 微观形貌 光致发光相对强度 光谱特性 表面修饰 SiC quantum dots(QDs) chemical etching method micromorphology relative photoluminescence intensity spectral characteristic surface modification
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术，在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL)谱测试结果的分析，讨论了衬底偏向角、量子阱层生长温度以及V/III比对外延片发光波长、发光强度及PL谱半峰全宽(FWHM)的影响。发现在相同生长条件下，对于InGaAs/GaAs应变量子阱结构，在GaAs(100)偏<111>A晶向较小偏向角的衬底上生长的样品PL谱发光强度较大，半峰全宽较窄；量子阱层低温生长的样品发光强度更强；增大量子阱层V/III比可以提高样品的发光强度，同时PL谱峰值波长出现红移。
材料 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 中国激光
2014, 41(11): 1106001
1 吉林大学通信工程学院, 吉林 长春130025
2 吉林大学电子科学与工程学院, 集成光电子国家重点实验室, 吉林 长春130012
3 吉林大学物理学院, 超硬材料国家重点实验室, 吉林 长春130012
在研究中, 制备了3.8和5.8 nm两种尺寸的PbSe胶质纳米晶, 并对PbSe胶质纳米晶温度依赖的光学特性进行了研究。 实验数据表明: 在室温情况下, 随着温度和尺寸的变化, PbSe胶质纳米晶的禁带宽度、 发光峰值波长、 发光强度及全波半宽度等都会发生改变。 在纳米晶尺寸是3.8 nm时, PbSe胶质纳米晶的禁带宽度随温度升高产生红移; 但是当尺寸是5.8 nm时, 禁带宽度随温度升高产生蓝移。 随温度的升高, PbSe胶质纳米晶的发光强度将下降、 全波半宽度会增加。
纳米晶 禁带宽度 发光强度 全波半宽度(FWHM) Nanocrystals PbSe PbSe Band gap Photoluminescence intensity Full width at half-maximum(FWHM) 光谱学与光谱分析
2013, 33(5): 1153
长春理工大学 高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春130022
介绍了一种氩、氢混合等离子体清洗GaAs基片的实验工艺, 深入研究了氩、氢等离子体清洗GaAs表面污染物和氧化层, 并活化表面性能的基本原理, 同时讨论了气体流量、溅射功率和清洗时间等不同溅射参数对等离子体清洗效果的影响。结果表明, 在氩气和氢气流量分别为10 cm3/min和30 cm3/min, 溅射功率为20 W, 清洗时间为15 min的条件下, GaAs样品的光致发光强度提高达139.12%, 样品表面的As—O键和Ga—O键基本消失。
等离子清洗 GaAs基片 发光强度 plasma cleaning GaAs substrates photoluminescence intensity
