1 长春理工大学 理学院，吉林 长春 130022
2 长春工业大学 发展规划与政策法规处，吉林 长春 130012
为获得高分辨率的电子轰击型CMOS (EBCMOS)成像器件，本文就近贴聚焦结构内电场分布对电子运动轨迹的影响进行了研究。设计了不同的EBCMOS结构并得到3种电场分布情况，分别为光电阴极和背面轰击型CMOS (BSB-CMOS)之间的等势面不平行、部分平行和彼此平行。根据电磁学理论结合蒙特卡洛模拟方法，分别模拟了每种电场分布情况下的电子运动轨迹。研究结果表明：当设计的电子倍增层表面覆盖一层30 nm的超薄重掺杂层，保持极间电压为4000 V且极间距为1 mm时，光生电子轰击BSB-CMOS表面时扩散直径可减小至30 μm。此结构具有电子聚焦作用，有助于实现高分辨率的EBCMOS。同时，进一步研究了光电阴极与BSB-CMOS之间的距离和电压对电子扩散直径的影响。研究发现，近贴间距越小、加速电压越高，相应的电场强度就越高，越有利于电子聚焦。本文工作将为改进电子轰击型CMOS成像器件的分辨率特性提供理论指导。
微光像增强器 电子轰击成像 近贴聚焦结构 low-light-level image intensifier electron-bombarding image proximity focusing structure EBCMOS EBCMOS
提出一种高分辨率电子工业用数字化Ｘ射线检测系统的总体设计方案，选择微焦斑X射线源和双近贴式X射线像增强器作为该系统的关键器件，分析了微焦斑X射线源的焦斑尺寸对系统分辨率的影响，并且建立了微焦斑X射线源和双近贴式X射线像增强器自身分辨率及成像的几何放大率对系统最终分辨率影响的数学模型。通过数学模型得出了几何放大率同系统分辨率的关系曲线。设计了光路及图像采集装置，并用VC 6.0完成了实用的X射线图像处理软件，研制了完整的成像系统样机并进行了调试与实验。这种成像系统有效视野可达75 mm，分辨率为160 lp/cm。
微焦斑X射线源 双近贴式X射线像增强器 数字化成像 分辨率 micro-focus X-ray source double proximity focusing X-ray image intensifier digital imaging resolution
提出了一种新型的基于共面线结构的多阳极光电倍增管（CPWMA-PMT），可实现大的工作面积、反射式光电阴极和近贴式聚焦方式。阐述了CPWMA-PMT的工作原理，分析了设计与研制中的关键问题。对所研制的CPLMA-PMT进行了参量测试，验证了在近贴聚焦工作条件下采用共面线多阳极结构的可行性，并提出了进一步的改进方向。
光电倍增管 共面线 多阳极 反射式光电阴极 近贴聚焦 photomultiplier copalanar line multi-anode reflective photocathode proximity focusing
西安应用光学研究所 第二研究室，微光夜视技术国防科技重点实验室，陕西 西安 710065
分辨力和MTF是微光像增强器的2个重要参数。根据线性系统傅里叶频谱理论，分析了微光像增强器的MTF和分辨力特性。计算出理想条件下，基于光阴极／MCP／荧光屏3部件结构以及带内电子增益机制的光阴极／荧光屏2部件结构的近贴聚焦像管的理论极限分辨力。它们分别是96．6lp／mm和98．1lp／mm。该结果可供人们改进像管MTF及分辨力特性时参考。
微光像增强器 像增强器 微通道板(MCP) 近贴聚焦 分辨力 傅里叶频谱 image intensifier MCP proximity focusing resolution MTF Fourier spectrum MTF
