为了得到CsI光阴极在紫外波段的时间弥散特性, 使用蒙特卡罗方法对CsI光阴极在紫外光入射情况下的光电发射进行模拟, 研究了当阴极厚度为5~45nm、入射紫外光能量为6.8~8.4eV时CsI光阴极出射电子的时间分布。得到了CsI光阴极的时间弥散与紫外光能量和CsI光阴极厚度的关系, 发现当CsI光阴极厚度小于30nm的时候, 光阴极的时间弥散随紫外光的能量增加而减小, 随光阴极厚度的增加而增加。当CsI光阴极厚度大于30nm的时候, 光阴极的时间弥散趋于稳定, 与紫外光的能量和光阴极的关系较小。

研制了一套宽光谱探测系统，该系统包括紫外成像探测器和X射线成像探测器两个工作单元。利用该系统对高功率微波（HPM）源运行及聚四氟乙烯介质窗受微波场作用而发生击穿时实验环境中的紫外线和X射线进行了初步诊断。结果表明：HPM源运行参数为重复频率100 Hz，运行时间5 s，介质窗未发生击穿时，微波源二极管区产生的X射线剂量为9．28×102～1．64×103 Gy，介质窗发生击穿时，环境中X射线剂量为5．38×102～1．09×103 Gy；随着微波脉冲重复频率和运行时间的增加，产生的X射线剂量明显增加。此外，利用该系统证实了实验环境中紫外线的存在。

鉴于彩色和强荧光客体上手印难以显现的实际， 报道了利用屏蔽紫外光显现手印的新方法。 金红石相纳米二氧化钛对紫外光有很强的屏蔽性能。 实验用二氧化钛粒径约为30 nm， 多为球形， 对波长小于400 nm的光有强烈吸收。 通过刷显或抖显的方法， 使纹线吸附足量的纳米二氧化钛颗粒， 而客体表面不吸附或少吸附。 在365 nm紫外光照下， 纹线呈暗色调， 背景则为亮色调， 拍照得到反差明显的影像。 与传统的“502”胶熏显-罗丹明6G(或BBD)染色增显法比较， 纳米二氧化钛屏蔽紫外光法显出的手印纹线流畅， 细节特征清晰。 研究表明： 该法可以有效显现彩色或强荧光客体上手印， 对于非渗透性客体上的陈旧手印也有比较理想的显现效果。 该法具有简便、 有效、 快速和经济的特点， 具有广阔的应用前景。

在等离子显示屏(PDP)的生产过程中，紫外线(uv)fx术被广泛应用。紫外线清洗、紫外线曝光、紫外线固化等都是十分重要的技术，同时紫外线技术也是一种有效保障PDP合格率的技术手段，文章介绍了紫外线在等离子显示屏及其生产中的应用。

通过改变UV照射时间、照射后的操作速度、光复活时的温度、时间和光强度,以光复活和暗处理后细胞存活数的比值为依据,研究了不同条件下E.coli受UV照射后的光复活效应.并以E.coli对5 μg/ml链霉素抗性突变率为指标,比较了不同剂量UV照射后光复活和暗处理对E.coli突变率的影响.结果表明:光复活效应在温度10℃时最明显,且与照射时间、照射后的操作速度、光复活时间和光强度成正相关;在中、低剂量UV照射后,暗处理较光复活后E.coli对链霉素抗性突变率明显高,而在高剂量下,光复活则显著高于暗处理后的突变率.

综述了我所研制的新型紫外探测器的工作原理、结构设计。介绍了这类具有极高灵敏度和超快时间响应探测器的主要技术性能及其在高技术**装备和民用市场的潜在应用。