1 重庆光电技术研究所, 重庆 400060
2 国网江苏省电力有限公司, 南京 210024
3 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院, 南京 211103
设计并制备了一种斜条脊波导结构压应变高偏振度多量子阱超辐射发光二极管。设计的脊波导出光面TiO2/SiO2四层宽带增透膜的TE模式反射率约为10-6, 分析了脊波导角度偏差和膜层厚度偏差对增透膜反射率的影响。实验结果表明, 在250mA直流电流驱动下, 所设计的超辐射发光二极管芯片单管输出功率可达22.7mW, 出射光谱FWHM约为37.3nm, 光谱纹波系数低于0.15dB, TE模式输出光强占主导, 偏振度约为19.2dB。
压应变多量子阱 超辐射发光二极管 增透膜 偏振度 compressive strain multi-quantum-well superluminescent diodes antireflection coating polarization degree
1 中国科学院半导体研究所 半导体材料科学重点实验室, 低维半导体材料与器件北京市重点实验室, 北京100083
2 北京航天控制仪器研究所, 北京100039
为了满足超辐射发光管的短波长应用, 采用InAlGaAs/AlGaAs量子点有源区和干法刻蚀工艺制备了短波长弯曲波导超辐射发光管。在1.6 A脉冲电流注入下, 器件峰值输出功率为29 mW, 中心波长为880 nm, 光谱半高宽为20.3 nm。比较了干法刻蚀工艺和湿法腐蚀工艺对超辐射发光管器件性能的影响。在1.6 A脉冲电流注入下, 湿法腐蚀制备的器件峰值输出功率仅为7 mW。与湿法腐蚀相比, 干法刻蚀可以精确控制波导形状和参数, 降低波导损耗, 有效增大器件输出功率。
超辐射发光管 自组织量子点 干法刻蚀 superluminescent diodes self-assembled quantum dot dry etching
1 暨南大学光电信息与传感技术广东省普通高校重点实验室, 广东 广州 510632
2 暨南大学光电工程系, 广东 广州 510632
3 广东省半导体照明产业联合创新中心, 广东 佛山 510033
为了提高InGaN超辐射发光二极管(SLED)的输出功率，采用有源多模干涉器(Active-MMI)作为管芯结构制作了Active-MMI SLED。由于有源区注入电流抽运面积的增加，提高了器件的增益饱和水平。实验结果表明，Active-MMI SLED的最大输出功率达到了47 mW,光谱较宽而又平坦(3 dB带宽20 nm)。此外，器件即使在最大输出功率下，仍然保持着稳定的单模输出。
光学器件 超辐射发光二极管 有源多模干涉器 高功率
1 西安邮电学院 电子工程学院， 西安 710121
2 西安邮电学院 通信工程学院， 西安 710121
首先介绍了光正交码（OOC）的构造方法，以及光谱幅度编码光码分多址（SACOCDMA）系统的实现原理。通过分析超辐射发光二极管（SLD）光源的功率谱不平坦对系统信干比和误码性能的影响，给出了OOC选码方案与光源光谱特性的关系；在此基础上，通过对接收信号进行不同的权重处理，达到改善信干比的效果。仿真结果显示，该方法在更多用户同时上路时能够提高信干比、改善通信质量，为系统的可实现提供了一种简便方法。
超辐射发光二极管 光正交码 光码分多址 多址干扰 信干比 superluminescent diodes OOC OCDMA MAI signaltointerference ratio
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
超辐射发光二极管(SLD)具有不同于半导体激光器和普通发光二极管的优异性能。为提高半导体超辐射发光管的光谱宽度,采用非均匀阱宽多量子阱(MQW)材料拓宽超辐射器件的输出光谱。优化设计器件的波导结构,利用大光腔结构设计出高功率、低发散角850 nm超辐射发光二极管。采用直波导吸收区而后在器件的出光腔面上镀制抗反射膜的方法制作超辐射发光二极管。器件在140 mA时器件半峰全宽(FWHM)可以达到26 nm,室温下连续输出功率达到7 mW。器件的垂直发散角为28°,水平发散角为10°。由于器件具有比较小的发散角,与光纤耦合时具有比较高的耦合效率,单模保偏光纤耦合输出功率达到1.5 mW
量子光学 超辐射发光二极管 非均匀阱宽多量子阱
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室, 吉林 长春 130022
采用非均匀阱宽多量子阱材料拓宽超辐射器件的输出光谱。利用大光腔结构制作出高功率、宽光谱、低发散角850 nm短波长超辐射发光二极管,在120 mA时器件半峰宽可达26 nm,室温下连续输出功率达到6 mW。与单模保偏光纤耦合输出功率达到1.0 mW。
激光技术 超辐射发光二极管 非均匀阱宽多量子阱 高功率
1 重庆邮电学院光电学院,重庆,400065
2 重庆光电技术研究所,重庆,400060
分析了设计超辐射发光二极管抗反射膜的光导纳法,介绍了有效折射率的概念.选用TiO3和SiO2两种材料给出了中心波长为850 nm时的设计实例.结果表明设计时要考虑有效折射率,才能获得好的性能.
超辐射发光二极管 抗反射膜 光导纳法 有效折射率 superluminescent diodes antireflection coatings optical admittance approach effective refractive index
清华大学现代应用物理系单原子分子测控实验室,北京,100084
光学相干层析成像技术是一种新型的成像技术,由于相干性和实用性的特殊要求,系统需要光源具有较宽的频谱宽度、输出功率高、稳定性好、易于耦合．超辐射发光二极管和超短脉冲飞秒激光是能满足这些要求的理想光源．本文在建立上述两种光源成像装置的基础上,对系统的横向、纵向分辨率等基本性能进行了测量；并对生物组织样品的成像质量进行了比较．
光学相干层析 超辐射发光二极管 超短脉冲激光 OCT superluminescent diodes ultrashort pulse laser
吉林大学电子工程系及集成光电子学国家重点联合实验室, 长春 130023
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数, 在以往对超辐射发光管的特性分析, 特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时, 多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子, 由于两者的光输出特性不同, 这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱, 而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。 对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论, 提出了平均自发发射因子的概念, 并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。
自发发射因子 超辐射发光管 增益导引 折射率导引
