激光器谐振腔输出的光束呈高斯分布，需要通过光束整形来提高均匀性，以满足应用的需求。从光学系统的特性出发，总结归纳了当前主要的三种激光光束整形技术，包括光阑法、场映射器法和多孔径光束聚焦法，分别介绍了三种激光光束整形技术的基本原理、应用范围和主要实现方法，阐述了不同激光光束整形方法的典型应用和研究进展，最后，综合讨论了激光光束整形技术目前所面临的问题及未来的发展方向。本综述对激光光束整形技术的研究具有一定的参考意义。

倍半氧化物具有优异的热学性能、稳定的物化性能、低的最大声子能量和强的晶体场，是理想的高功率、大能量激光基质材料。倍半氧化物具有超高熔点，因此其高质量、大尺寸的晶体制备极其困难，研究人员对此进行了长期的研究探索。近年激光技术发展对高品质倍半氧化物单晶的迫切需求促使相关晶体的生长技术取得了突破。本文在简单介绍倍半氧化物性能与结构的基础上，详细综述了Lu2O3、Sc2O3、Y2O3倍半氧化物晶体的生长方法及缺陷种类，系统总结了稀土离子掺杂的倍半氧化物在1~3 μm波段内的激光性能，最后对其未来的研究与发展方向进行了展望。

针对二维面阵频率分集阵列(PFDA)雷达在抑制与目标角度维接近、距离维可分的干扰过程中, 经典波束形成算法在导向矢量失配时出现的主瓣畸变问题, 在交叉正弦二维面阵频率分集阵列结构的基础上, 通过采用可变加载约束的最速下降线性约束最小方差准则, 求解导向矢量失配时的修正权矢量, 在估计导向矢量存在 2°指向误差时仍可实现对阵列方向图波束主瓣的有效纠偏和保形。仿真验证了该方法的有效性。

直拉法生长直径300 mm硅单晶过程中，直径均匀是获得高品质硅单晶的关键。在生产实践中发现，当硅晶体进入等径生长阶段，过高的提拉速度会引起晶体发生扭晶现象，导致晶线断裂随即变晶，对等径生长不利。本文采用数值模拟和理论相结合的方法分析了300 mm硅单晶生长过程中扭晶现象的成因，建立了不同提拉速度下晶体直径与熔体温度分布的关系，分析了晶体发生扭晶的影响因素。结果表明，随着提拉速度的增加，熔体自由表面产生过冷区且该过冷区随提拉速度的增加不断扩大，过冷区的产生是导致晶体发生扭晶的主要原因。提出了一种基于有限元热场数值模拟的最大稳定提拉速度的判别方法，并给出了通过改变晶体旋转速度来改善熔体自由表面温度分布的工艺措施建议，从而避免晶体扭晶现象的发生。研究结果对设计大尺寸硅单晶生长热场具有一定的指导作用。

以氧含量相对较高的“平价”Si3N4粉体(氧含量1.85%(质量分数))为原料, Y2O3-MgO作为烧结助剂, 制备低成本高热导率Si3N4陶瓷, 研究Y2O3含量对Si3N4陶瓷致密化、显微结构、力学性能及热导率的影响。结果表明, 适当增加Y2O3的加入量不仅可以促进Si3N4陶瓷的致密化和显微结构的细化, 还有助于晶格氧含量的降低和热导率的提升。Y2O3含量为7%(质量分数)的样品在1 900 ℃烧结后的综合性能最佳, 其相对密度、抗弯强度、断裂韧性和热导率分别为99.5%、(726±46) MPa、(6.9±0.2) MPa·m1/2和95 W·m-1·K-1。

通过多种肿瘤数据库和生物信息学方法分析磷脂酶A2-Ⅶ(PLA2G7)的基因在宫颈癌中的表达与预后及免疫浸润的关系。利用cBioPortal、GEO、GEPIA2、TCGA数据库分析PLA2G7基因的遗传变异、表达情况及其与患者预后的关系。利用基因集富集分析(GSEA)和基因集变异分析(GSVA)方法研究TCGA中宫颈癌患者PLA2G7表达的生物学功能及参与的信号通路。通过TIMER数据库分析PLA2G7表达与免疫浸润细胞及其标记基因之间的相关性。结果显示: 与正常宫颈组织相比, PLA2G7在宫颈肿瘤组织中高表达; PLA2G7的高表达显著富集在趋化因子信号通路、自然杀伤细胞介导的细胞毒性、T细胞受体信号通路等免疫相关通路上; PLA2G7高表达与总生存期(OS)的延长相关(log-rank P=0.030); 亚组分析表明, PLA2G7高表达在年老组、stageⅠ&stageⅡ和G3&G4中与较长的OS相关; PLA2G7表达与宫颈肿瘤组织中CD4+ T细胞、CD8+ T细胞、巨噬细胞、中性粒细胞和树突状细胞的浸润水平呈正相关, 并与免疫细胞基因标记物CD86、CD115(CSF1R)、CD163、MS4A4A、CD11c(ITGAX)、CTLA4和TIM-3(HAVCR2)的表达存在强相关性。本研究表明, 在宫颈癌患者中PLA2G7高表达可能是通过增强免疫细胞的募集信号通路、调节免疫浸润细胞的富集, 从而改善宫颈癌患者的生存状况。这为PLA2G7作为宫颈癌诊断治疗及其预后评估的生物标志物提供了理论基础。

将表面配体改性的CdSe/ZnS量子点(Quantum dots)和光刻胶混合, 进而采用光刻工艺在InGaN/GaN蓝光Micro-LED上实现了最小尺寸为3 μm的高分辨率、高光效的量子点颜色转换膜层。同时系统研究了不同厚度和混合比例的量子点膜层的吸收/发射光谱及光致发光量子产率(PLQY)。为优化光转换效率, 量子点膜层中加入了TiO2散射粒子以提高蓝光的吸收效率。更进一步地, 经过设计引入分布式布拉格反射镜(DBR), 使得未被吸收的蓝光光子回弹到量子点转换膜层, 这不仅提升了蓝光吸收效率, 也增强了转换色彩的饱和度。同时采用了热激发方式来提升量子点的光致发光量子产率。为得到更高的显示对比度和色彩饱和度, 引入黑色光阻矩阵来削弱临近图形之间的颜色串扰。实验结果表明, 该量子点膜层可以用光刻技术实现高分辨率、高光效的颜色转换图层, 为单片全彩化Micro-LED显示的发展提供了新颖可靠的技术路线。

以Yb2O3-Al2O3作为烧结助剂，采用烧结-热等静压工艺制备了具有高致密度和优异力学性能的Si3N4-SiCw复合材料，研究了TiO2含量对Si3N4-SiCw复合材料致密化和力学性能的影响。结果表明：TiO2的加入促进了Si3N4-SiCw复合材料的致密化。随着TiO2含量的增加，Si3N4-8%SiCw复合材料的抗弯强度、断裂韧性和Vickers硬度均呈现出先提高后降低的变化趋势。当TiO2含量(质量分数)为3%时，Si3N4-8%SiCw复合材料的相对密度和综合力学性能最佳，其相对密度、抗弯强度、断裂韧性和Vickers硬度分别为(99.5±0.1)%、(1 301±87) MPa、(7.8±0.1) MPa?m1/2、(16.2±0.1) GPa。TiO2和Si3N4之间的原位反应生成的SiO2和TiN对Si3N4-SiCw复合材料的界面结合强度及力学性能产生了重要影响。