1 重庆大学 物理学院，重庆 400044
2 重庆京东方光电科技有限公司，重庆 400700
3 北京京东方显示技术有限公司，北京 100176
在薄膜晶体管（Thin film transistor，TFT）的栅极（Gate）刻蚀制程中，显示区（AA区）和引线区（Fanout区）因布线密度差异而存在刻蚀负载效应，两区域刻蚀程度差异大，刻蚀时间难以确定。抑制栅极刻蚀制程中的刻蚀负载效应，对品质确保具有积极意义。本文分析了湿法刻蚀微观过程，提出增加刻蚀液喷淋流量抑制刻蚀负载效应的方案。将增加喷淋流量的方案转化为调节3个刻蚀腔室（Etch1~Etch3）的刻蚀时间比例。在总刻蚀时间不变的前提下，进行3腔室不同时间比例的刻蚀验证，并对刻蚀结果进行聚类分析。最后，优选出抑制刻蚀负载效应的时间比例，并结合神经网络分析，对结果进行解析。实验结果表明，降低Etch3时间比例，增加Etch2时间比例，刻蚀负载效应可以被抑制。Etch1~Etch3的时间比例由33.33%∶33.33%∶33.33%调整为10%∶80%∶10%，AA区和fanout区刻蚀程度差异由0.575 μm下降为0.317 μm。通过调节3个刻蚀区间的时间比例，可以抑制刻蚀负载效应，缓解不同区域刻蚀程度差异，满足TFT量产需求。
栅极 湿法刻蚀 负载效应 聚类分析 神经网络 gate electrodes wet etch loading effect cluster analysis neural networks
1 重庆京东方光电科技有限公司, 重庆 400700
2 重庆大学 物理学院, 重庆 400044
3 中国科学院大学 重庆学院, 重庆 400714
ITO刻蚀产线由刻蚀设备、中央药液供给系统(Chemical central Supply System, CCSS)、刻蚀液管理系统(Etchant Management System, EMS)3大组件构成。明确组件之间的相互作用, 确认相互作用对刻蚀液浓度的影响, 进而管控刻蚀, 对ITO刻蚀制程至关重要。本文结合重庆京东方ITO刻蚀产线, 探究不同生产模式下刻蚀液各组分浓度的变化, 结合回归分析、因果链和统计方法分析了各成分浓度变化的原因, 并确认刻蚀液浓度变化对刻蚀程度的影响。实验结果表明: 仅CCSS开启, 刻蚀液中酸液浓度增加, 致其刻蚀能力逐渐增强。在CCSS开启的基础上, EMS开启补充水和硝酸功能, 可以保持刻蚀液浓度稳定, 进而延长刻蚀液的使用时间。但是, 在CCSS和EMS补给均开启的模式下, 刻蚀液浓度在初期波动, 然后逐步趋于稳定, 且在浓度波动期间会有一个硝酸浓度偏高的区域, 此区域的刻蚀能力强。该研究为ITO刻蚀液使用时间延长、产品良率提升提供了参考。
薄膜晶体管 湿法刻蚀 ITO刻蚀液 浓度变化 ITO电极 thin film transistor wet etch ITO etchant concentration change ITO electrode
西安交通大学 电子与信息工程学院，陕西 西安 710049
飞秒激光微加工作为一种新型微纳制造技术，在复杂三维构型制作方面具有其独特的优势，但激光加工效率问题严重制约了飞秒激光微加工技术走向实际工程应用，提出一种飞秒激光湿法刻蚀微纳制造方法,以提高飞秒激光微加工的效率为突破口，通过调控激光与物质相互作用获得材料的目标靶向改性，进而结合化学湿法刻蚀实现硬质材料上的高效和高精度三维微加工，采用这一方法制作出的微透镜尺寸为80 μm，球冠高67 μm，表面粗糙度小于10 nm。利用这种方法，实现了不同结构与特性的高质量微透镜阵列的超精密制备，在石英内部也实现了螺旋微通道的复杂三维结构，螺旋通道直径为20 μm，长径比超过100。
飞秒激光 微纳制造 湿法刻蚀 微透镜 微通道 femtosecond laser micro- and nano- fabrication wet etch microlens microchannel
采用硅的局部氧化技术以及湿法刻蚀技术，利用2．6 μm的光刻掩模板在n型硅片上形成了栅极孔径为1 μm的场发射阴极的栅极空腔阵列，实现了用大阵点尺寸的栅极掩模板制备较小尺寸栅孔阵列。硅的湿法刻蚀溶液采用各向同性的硝酸和氢氟酸混合溶液，刻蚀后空腔的深度和宽度均随刻蚀时间线性增加。同时，由于刻蚀溶液具有较高的Si／SiO2刻蚀选择比，栅极孔径随刻蚀时间增大的速度远低于深度和宽度增大的速度，栅极孔径主要取决于掩模的尺寸和氧化层的厚度。通过选择掩模板的尺寸以及氧化层的厚度．采用局部氧化技术和湿法刻蚀技术能够制备出微米或亚微米的场发射阴极的栅极空腔阵列。
场发射阵列 栅极孔 局部氧化 湿法刻蚀 Field emission array Gate hole Local oxidation of silicon Wet etch
1 中国科学院光电技术研究所,成都 610209
2 中国科学院研究生院,北京 100039
基于全息补偿检验非球面的原理,提出并设计了一种二元纯相位型双计算全息图。该全息图由主全息和对准全息两部分组成,用于检测非球面的主全息位于基底的中心,而对准全息位于其边缘,用来精确定位主全息,从而消除离焦、偏心及倾斜所引入的误差。两部分全息同心是实现对主全息准确定位的前提,为此,提出了"一次曝光,两次刻蚀"的制作方法,即一次性将两部分图形在同一块掩膜版上制作出,曝光一次后,基底经两次刻蚀制作出具有两种不同相位深度的双计算全息图。最后给出了一个检测Φ140、F2抛物面镜的双计算全息设计实例,并将其检测结果与自准直检测结果比较,二者吻合良好,验证了该设计方法的正确性及制作工艺的可行性。
测量 凹非球面 计算全息图 湿法刻蚀 measurement concave aspherical surface computer-generated holograms wet etch
