作者单位
摘要
1 上海理工大学 上海市现代光学系统重点实验室,上海200093
2 日本早稻田大学 先端科学研究机构,日本 东京1620041
CuInS2(CIS)是重要的三元Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ族直接带隙半导体化合物光伏材料。纤维锌矿CIS的铜和铟原子共享一个晶格,因此其在化学计量比调控方面更加灵活,对高效太阳能电池具有重要意义。在低温条件下,通过简单高效的热注入法合成了在常温下能稳定存在的纤维锌矿CIS纳米化合物,并通过X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线光谱仪(EDX)和紫外可见分光光度计(UV)分别对其晶相、形貌、化学计量比和能带值进行了分析。结果表明:合成的CIS纳米化合物呈纤维锌矿结构;能带值为1.47 eV,非常接近最佳能带值;呈六边形纳米盘状,纳米盘厚度约为10 nm,直径约为100 nm;Cu∶In∶S的化学计量比为1.70∶1∶2.94。
纤维锌矿 热注入法 CuInS2 CuInS2 wurtzite structure hot-injection 
光学仪器
2014, 36(4): 342
作者单位
摘要
北京邮电大学信息光子学与光通信教育部重点实验室, 北京 100876
GaAs纳米线通常呈现纤锌矿结构(WZ),而WZ(1010)侧面已被实验所观测到。利用第一性原理计算了GaAs(1010)的表面弛豫和表面能,计算结果表明:(1010)A表面只出现原子的弛豫现象,表面能为40.6×1020 meV/m2;而(1010)B表面却重构形成了Ga-Ga和As-As二聚体,表面能为63.5×1020 meV/m2。相对于ZB(110)表面,WZ(1010)A面具有更低的表面能,(1010)A表面具有更好的稳定性,说明了在表面能占重要影响的纳米线中WZ结构存在的合理性。
表面重构 纤锌矿结构 第一性原理 表面能 
激光与光电子学进展
2011, 48(4): 041601
作者单位
摘要
Institute of Semiconductor, Shandong Normal University, Jinan 250014, CHN
semiconductor material GaN nanowires hexagonal wurtzite structure 
半导体光子学与技术
2007, 13(1): 48

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