使用波长248 nm的准分子激光器实现了GaN基微型发光二极管(Micro LED)的大面积激光剥离(LLO)。分离器件所需要的临界激光能量密度为800~835 mJ·cm-2, 分离的器件完好无损, 分离表面光滑, 残余应力为0.071 4 GPa, 均方根粗糙度仅为0.597 nm, 远低于目前报道的LLO方法分离表面。该研究为实现高质量、高效率的GaN基Micro LED芯片的制备提供了一种有前景的思路, 对柔性GaN基器件的制备具有一定意义。

静态随机存取存储器(SRAM)电路的失效是极小概率事件, 并且不同电路条件下的失效区域边界可能相距很远。因此, 为了更高效地获得更精准的SRAM成品率预测结果, 提出一种基于正交匹配追踪(OMP)算法的SRAM性能分组建模方法, 并应用于典型SRAM电路成品率的预测。此方法主要根据不同SRAM电路条件下失效区域边界距离的差异将仿真数据划分为多组, 之后利用OMP算法对不同组的数据分别建立多项式模型, 该模型可用于对SRAM电路的成品率进行快速分析预测。与标准蒙特卡洛统计算法及基于OMP的单一建模方法相比, 基于OMP的分组建模方法不仅可以缩短建模时间, 提高建模准确度, 还能够获得更加精确的SRAM成品率预测结果。

研究了离子注入后推结与扩散两种掺杂方式制作保护环对拉通型硅基雪崩光电二极管(Si-APD)器件成品率的影响, 对比在不同工艺条件下器件反向击穿电压、暗电流的变化情况。研究结果表明, 采用离子注入后推结的方式, 在注入后3 h@1 100 ℃条件下的成品率为94%; 采用扩散掺杂方式, 器件成品率不超过65%。两种方式对器件反向击穿电压影响较小且暗电流抑制效果相当。离子注入后推结制备保护环的方式更适合Si-APD制程。

展示真实的工艺结论,介绍在基片本身或监控片上进行光学直接监控的方法应用于大面积(最大基片盘直径φ1400 mm)镀膜的成功经验.直接监控技术可以最快速的再现高难度的设计要求,保证大面积,高精度镀膜设备上的高成品率.文中列举的各类多层膜的实验结果清楚地证明了这种强大的监控手段的应用潜力.可使用直接监控方式镀膜的膜系包括截至滤光片,偏振膜,分光膜以及多腔带通滤光片.所有这些膜系都是在PIAD(等离子辅助沉积)和PARMS(等离子体辅助反应磁控溅射)的方式下完成的.实验的重复性和均匀性体现了直接监控的优势.在塑料基底上应用等离子体辅助工艺的关键在于调整离子源或等离子源本身.他们改变热度和等离子轰击的能力通常是工艺的关键因素,从而使工艺更适合于象塑料这样对温度和等离子轰击敏感的基材.

模拟二代微光管制管工艺,对MCP经不同工艺处理 后的放气 成份进行分析,发现工艺质量本身是造成MCP污染的主要因素。经改进工艺,提高了制管成品 率和管子性能。

本文提出了一种自动设计思想,即在多层膜设计过程中考虑监控误差对多层膜光学特性的影响。在自动设计的评价函数中不仅包含了膜系的光学特性,而且还包含了计算机模拟的制备成品率,并以最高的生产成品率作为最终的优化目标。用这种方法设计出的膜系不仅满足光学特性要求,而且具有较大的制造允差,便于最经济地组织生产。以宽带减反射膜,可见光加1.06μm的双波段减反射膜为例进行了自动设计,设计结果是令人满意的。