对手征特异材料介质与陈绝缘体材料界面附近二能级原子的自发辐射特性进行了研究.推导计算了手征介质界面及其与陈绝缘体材料界面的反射系数矩阵, 并根据并矢格林函数求得此环境下二能级原子自发衰减率的表达式.对手征介质和陈绝缘体材料特性参数影响下的原子自发辐射进行了数值计算, 分别对平行和垂直于界面的偶极子自发衰减率进行讨论, 并对辐射模式和消逝模式下的自发辐射进行了分析.结果表明, 由于手征参量的存在, 手征介质界面附近的原子自发衰减率与普通介质相比被增强.陈绝缘体则使得界面附近原子的自发辐射被明显抑制, 且当手征参量较大时, 陈绝缘体的抑制效应更加显著.

研究了线极化波在拓扑绝缘体和手征介质分界面上全反射时的Goos-Hnchen(GH)侧向位移和Imbert-Fedorov(IF)横向位移特性.使用修正的能流法推导出各位移表达式, 数值计算分析了入射角、拓扑磁电耦合效应、手征性等对位移的影响.结果表明, 当TE波入射时, 拓扑绝缘体的磁电耦合效应或手征介质的手征性对两种位移的影响较为一致, 即拓扑磁电耦合对GH和IF位移均为抑制, 手征性对位移基本为单调增强或单调抑制.而TM波入射时, 拓扑磁电极化率会使位移先增大后减小, 位移存在一个极值, 手征参数的增大使该极值向拓扑磁电极化率较小值方向移动; 手征参数对位移的影响虽基本上是单调性的, 但在某些情况中较为特殊, 如右旋圆极化波的GH位移在拓扑磁电极化率对位移增强阶段, 手征性也将增强位移, 而在拓扑磁电极化率对位移抑制阶段, 手征性也同时抑制位移.对拓扑绝缘体和手征介质界面GH和IF位移的研究, 为测量拓扑磁电耦合特性及手征电磁交叉极化性质提供了一种光学方法.

基于Collins衍射积分公式，通过数值计算的方法，研究了异常涡旋光束在手征介质中的传输特性。研究结果表明异常涡旋光束在手征介质中被分化为左旋偏振光和右旋偏振光，其拓扑荷数的变化直接影响了左旋偏振光和右旋偏振光在光束中心处的相互干涉现象。当束宽变大，异常涡旋光束的能量及聚焦效应也随之增强。

利用复源点方法将厄米-高斯光束展开为球矢量波函数的形式。基于广义洛伦兹米氏理论，应用手征介质球与自由空间分界面处电磁场切向连续的边界条件以及球矢量波函数的正交性，得到手征介质球远区散射场展开系数。研究了厄米-高斯光束对手征介质球的散射特性。数值计算了厄米-高斯光束对手征介质球的远区散射场分布，分析了波束模式、手征参数和手征球尺寸等对散射特性的影响。

对零折射率手征介质(介电常量和磁导率同时等于零的手征介质)作为包层的光纤中模式的奇异特性进行了理论研究.给出了导模的电磁场分布公式，推导出导模色散方程和功率的数学表达式，通过数值计算，给出了不同手征参量情形下的色散曲线，讨论了手征参量对归一化功率的影响，发现了导模的一些奇异特性，如存在表面波模、基模单模区，出现传播常量双值、模式交叉、功率储存现象等，特别是出现了纤芯和包层中的功率都为负值的完全后向波奇异模式.

采用多模网络与严格模匹配相结合的方法,对开放型手征介质圆波导中的二种阶梯不连续性的散射和辐射特性进行分析和求解,仔细讨论了手征参数和几何尺寸对散射和辐射特性的影响.给出的结果对手征介质元器件的研究有实际的参考意义.

用多模网络与严格模匹配相结合的方法,对部分手征介质填充同轴线的反射和透射特性进行了分析和求解.对横截面采用等效径向传输线,对纵向采用多模传输线方法,并且利用结构的对称性使得问题简化.讨论了不同情形下手征参数和介电常数对反射和透射特性的影响.