通过对仅有单层介电薄膜双液体变焦透镜模型的相关理论分析, 得出介电层薄膜的厚度及均匀性对双液体变焦透镜的性能影响很大, 并绘制了双液体变焦透镜焦距与驱动电压、介电层厚度的关系曲线.在此基础上, 以降低双液体变焦透镜的驱动电压为目的, 对介电层的选择进行了分析, 选择既可充当介电层又可充当疏水层的派瑞林材料作为双液体变焦透镜的介电层材料, 通过真空蒸发镀膜工艺得到了合适厚度的介电层派瑞林薄膜, 并对所镀薄膜表面形貌以及厚度进行了测试.选择氯化钾以及溴代十二烷作为导电液体和油性液体, 利用离心方式除去液体中溶有的气体, 进而制作完成双液体变焦透镜样品.电驱变焦实验得到低压双液体变焦透镜样品的变焦范围为±20 mm, 驱动电压约为30 V, 对于实验过程中出现的迟滞效应, 通过对杨氏方程中引入摩擦力项, 合理地解释了其原因.

传统的CCD和CMOS成像传感器对紫外区域响应比较弱, 这是因为多晶硅栅对紫外光有强的吸收能力, 从而阻碍了紫外光进入CCD沟道。 为了提高探测器对紫外辐射的敏感性, 可行的一种办法是在器件上镀一层可以将紫外光转化为可见光的变频膜。 采用真空蒸发法制备了有机Lumogen薄膜, 并用发光官能团分析、椭圆偏振技术研究了Lumogen薄膜的发光原理与光学常数。 分析与实验结果表明: Lumogen可连续光致发光原因是其分子具有四类双键结构; 椭圆偏振法测得该Lumogen薄膜折射率在1.3左右, 说明该膜具有增透效果。 同时, 通过测量Lumogen薄膜的透射光谱、吸收光谱、光致发光发射谱和激发谱, 表征了Lumogen薄膜的光谱性质, 发现Lumogen薄膜在可见波段(>470 nm)有较好的透过性, 用紫外光激发会产生较强的黄绿光(中心波长位于523 nm), 且激发光谱宽(240～490 nm)。 结论表明Lumogen薄膜的发射光谱能够与CCD等传统硅基成像器件的响应光谱匹配, 是一种符合实际要求的紫外敏感薄膜。

采用真空沉积的方法在SiO₂基片上制备出了纳米InSb颗粒薄膜.利用原子力显微镜对4片样品表面进行分析,从其表面形貌图和三维图中可以观察到有粒径均匀的纳米InSb颗粒形成并且均匀地分布在SiO₂基片表面.实验表明,通过改变镀膜时间可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒,并且颗粒直径与沉积时间和厚度成正比.

原子光刻是原子光学在微细加工技术领域的新应用.在对各种材料和真空泵性能综合考虑的基础上,设计并建立了一台用于原子光刻的超高真空蒸发设备.主要设计参数为:极限真空度和工作真空度分别为2.0×10-6 Pa 和1.0×10-5 Pa,原子源温度在300～1850℃范围内连续可调.初步运行结果表明极限真空度优于设计参数,温度连续可调.

分别采用化学池沉积(CBD)和真空蒸发法,在三种衬底(玻片、ITO玻片、SnO2玻片)上沉积CdS薄膜,并利用扫描电镜(SEM)、透射光谱、X射线衍射(XRD)等方法对沉积膜进行了测试分析,同时阐述了两种不同方法下CdS膜的生长沉积机制.

研究了(002)向择优生长ZnO薄膜.利用真空蒸发法制备ZnO薄膜,衬底材料是镜面抛光石英片.实验结果表明,用此方法可获得高度择优定向生长的ZnO薄膜,氧化退火温度对ZnO薄膜的结构有重要影响.

用XPS分析了CdS薄膜的结构.硫化镉薄膜是用化学沉积法制备的胶体颗粒,然后再通过真空蒸发法在平面玻璃上形成的多晶薄膜.XPS分析表明CdS薄膜中的Cd3d和S2p峰值均比块状CdS向高能方向偏移了10 eV.这主要是由于表面效应所致.