红荧烯具有导电性好、吸收系数高等优良的荧光特性和半导体特性，是目前报道的单晶迁移率最高的材料，在有机光电器件中有很好的发展前景，受到科研人员的广泛关注。目前国内外主要采用真空蒸镀方法和溶液加工方法制备红荧烯晶体薄膜，采用各种制备工艺来提高红荧烯薄膜质量。本文在系统介绍红荧烯晶体薄膜制备工艺研究进展的基础上，归纳总结了掺杂种类/聚合物浓度、后处理工艺/实验温度等对红荧烯晶体性能的影响，简要概述了红荧烯薄膜在有机光电子器件应用研究中所取得的研究成果，最后展望了基于红荧烯晶体薄膜的光电器件的发展趋势。

通过模板法制备大面积、 可控的、 可重复的、 热点集中的金纳米结构阵列, 并在纳米结构阵列上通过化学修饰分子, 吸附更多苏丹红Ⅰ分子至金纳米的SERS增强区域, 实现其高灵敏的表面增强拉曼分析检测。 以多孔阳极氧化铝为模板, 通过真空蒸镀金, 约200 nm厚度, 复制氧化铝的孔洞结构, 用碱液将氧化铝模板腐蚀去除, 可得到氧化铝模板的互补结构, 即大面积的、 均匀的金半球纳米结构阵列。 在金纳米结构阵列上修饰十二硫醇, 硫醇巯基端与纳米金相结合, 碳链端自组装形成非极性的疏水环境, 疏水环境可以捕获苏丹红Ⅰ分子, 使其吸附至纳米金结构表面的SERS增强区域, 实现苏丹红Ⅰ的SERS检测。 由于SERS基底表面的金半球纳米结构均匀、 规整, 在激光光斑的区域内, 苏丹红Ⅰ的SERS信号均匀、 稳定, 可以对苏丹红Ⅰ进行定量分析。 苏丹红Ⅰ的拉曼峰强度对数与浓度对数之间呈线性关系, 线性相关系数达0.99, 线性范围为5×10-4～10-7mol·L-1, 回收率范围77%～117%。 此方法的检测限可达到4×10-8mol·L-1, 与国标的高效液相色谱的检测限相当。

实验采用真空热蒸镀方法，在高准确度膜厚控制仪的监控下，制备了结构为ITO/2T-NATA(25 nm)/NPB(30 nm)/BePP2(X nm)/Alq3(30 nm)/LiF(0.6 nm)/Al(80 nm)的蓝光器件，并对其发光层（BePP2）薄膜的沉积速率以及厚度对器件的亮度、发光效率影响进行了分析和实验研究.结果表明：当束源炉孔径为Φ1.5 mm，束源炉温度在120℃～150℃区域，BePP2的蒸镀速率比较平滑，斜率变化小，易于膜厚精准控制，且薄膜较致密满足器件需要；BePP2在最佳沉积速率为0.02 nm/s（蒸发温度为135℃），且发光层厚度为35 nm时，可获得启亮电压为5.34 V、发光亮度为9 100 cd/m2、发光效率达4.4 cd/A的较理想蓝光器件.

采用真空蒸镀与化学镀两种方法制备GaN基发光二极管(LED)金电极,分析比较了两种工艺所得芯片成本、外观色差、打线拉力。结果表明,化学镀金可选择性还原欲沉积的金属于电极上,较之蒸镀整面金属,可大幅度节省金属成本,且操作简单易行。化学镀金法所制得金属层,较蒸镀法所制得金属层表面粗糙,可有效减少电极间的色差,且能提高打线或焊线的附着力。

以高纯五氧化二钒(V2O5)粉末(纯度≥99.99%, 质量百分比)为原料, 采用真空蒸发--还原工艺, 在不同退火温度下还原出不同组分的VOX薄膜。利用X射线衍射仪, X射线光电子能谱仪和紫外-可见分光光度计对薄膜进行测试和分析, 得到了不同退火温度与薄膜结构和其光学特性的关系。结果显示: V2O5中的V5+随着退火温度的上升被还原, 退火温度为450℃时, V4+含量最高, 结晶最好, 500℃时, 薄膜组分表现出逆退火现象, 温度进一步升高, 钒再次被还原。

利用真空蒸镀方法以N2,N7二(间甲苯胺基)N2,N7二苯基2,7二胺基9,9二甲基芴[2,7-bis(p-methoxyphenyl-m′-tolylamino)-9,9-dimethylfluorene, TPF-OMe]为空穴传输层、8-羟基喹啉铝[tris(8-hydroxyquinolinato)aluminum, Alq3)]作为发光层及电子传输层,制备了双层器件。与制作的典型双层结构N,N′二苯基N,N′二(3甲基苯基)1,1′联苯4,4′二胺[N, N′-biphenyl-N,N′-bis-(3-methylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine, TPD/Alq3]器件相比,电流密度较大,发光效率低,发光谱峰为516 nm,色坐标为 (0.30,0.53),为Alq3材料发光。以TPF-OMe为发光层兼空穴传输层,2,9二甲基4,7二苯基1,10菲罗啉(2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline, bathocuproine或BCP)为空穴阻挡层,Alq3为电子传输层,制作三层有机电致发光器件。结果表明,光谱峰值在414 nm,色坐标为 (0.20,0.24),为蓝色光,是TPF-OMe材料本身发光,器件在15 V电压下电流密度为1137 mA/cm2,亮度为900 cd/m2,在3 V偏压下有最大流明效率,为0.11 lm/W。基于TPF-OMe材料的器件的击穿温度比基于TPD材料的器件高近20 ℃,原因可能在于TPF-OMe材料比TPD材料高19 ℃的玻璃化转变温度(Tg)。

阳极氧化铝模板(Anodic Aluminum oxide, AAO)是一种具有纳米孔径的透明模板,其孔径在5-200nm范围内可控,孔径大小一致并且分布高度有序.利用阳极氧化铝模板制备量子点具有简单易行,能大规模生产的特点,同时能制备出尺寸大小可控的高度有序的量子点阵,这是其它方法很难做到的,有利于纳米材料及纳米器件的研究与合成.

采用真空热蒸镀的方法,在高精度膜厚控制仪监控下,实现了有机薄膜功能材料的精确蒸镀,其中发光层采用主体材料与掺杂材料在一个真空腔体同时共同蒸发,制备了一种高亮度多层结构的红色有机电致发光(OLED)器件：ITO-CuPc(20 nm)-αNPD(60 nm)-Alq3(40 nm)∶Rubrene(10%)∶DCJTB(1%)-Alq3(20 nm)-LiF (10 nm)-Al(100 nm)。研究发现：驱动在电压为5～52 V变化时,其亮度基本满足线性增加关系,随之饱和;随着驱动电压的变化,其电致发光光谱有蓝移的现象,发射峰从638 nm变到632 nm,同时色坐标CIEx,y值也发生相应的变化;器件的流明效率在驱动电压较低时(V=5 V),达到最大值ηLmax=0.497 lm·W-1,随着驱动电压的增加,流明效率有降低的趋势。