硒化铅胶体量子点（PbSe QDs）因其具有显著的多激子效应、大的激子波尔半径、宽的波长调控范围以及高的荧光量子产率等优异性能，在室温红外光电子器件领域有巨大的应用前景。然而，通过溶液法合成的PbSe QDs存在发光稳定性差和发光效率低等问题，进一步限制了它的发展，这是由量子点的表面易被氧化与载流子传输性能不佳所导致的。因此，本文围绕PbSe QDs的表面修饰工程对其迁移率、陷阱态、能级移动、发光效率以及稳定性改性方面的影响进行了系统论述，并总结了表面修饰工程在PbSe QDs太阳能电池、发光二极管和光电探测器等领域的应用现状，最后对该工程在光电子器件实际应用中存在的问题以及未来研究重点进行了展望。

硒化铅(PbSe)量子点具有宽红外光谱调控范围、高荧光量子产率和可溶液加工等特点, 成为一类重要的红外材料体系。与广泛研究的PbS量子点相比, PbSe量子点在空气中容易氧化, 从而严重破坏其光电特性, 制约了其应用的发展。壳层的包覆是有效提升PbSe量子点光学特性和化学稳定性的策略之一, 是推动PbSe量子点应用发展的材料研究方向。本文综述了PbSe核壳量子点的合成及其在光电探测、太阳能电池、激光器和光催化等领域的应用研究进展, 希望能够为国内研究者开展相关研究提供参考。

通过溶液法合成了PbSe/TiO2复合纳米管, 并对其进行了微观形貌、晶体结构等的表征。结果表明, 制得的样品是由PbSe和TiO2两种材料构成的复合材料, 致密、均匀的TiO2薄膜包覆在PbSe纳米管表面。以氙灯为模拟光源, 通过对甲基橙的降解研究了PbSe/TiO2复合纳米管的光催化性能。结果显示, PbSe与TiO2之间形成的异质结使PbSe/TiO2复合纳米管具有较高的光催化性能, 比纯PbSe纳米管的催化降解率提高了约4.5倍。另外,对PbSe/TiO2复合纳米管光催化稳定性也进行了研究。

实现了一种硒化铅(PbSe)量子点掺杂的光纤放大器(QDFA)。以直径为4 nm 的PbSe 量子点作为光纤增益介质，由量子点掺杂光纤、980 nm 单模激光器、波分复用器、隔离器等组成全光传输结构，在1250~1370 nm 的宽带区间实现了信号光的放大。实验表明：对于纤芯直径为50 μm 的多模量子点掺杂光纤，激励阈值为62 mW，-3 dB 宽带达120 nm，-1 dB 平坦带宽为90 nm，增益可达12 dB。与传统的掺铒光纤放大器相比，QDFA 的带宽更宽，增益更平坦，噪声也较低。该QDFA 为解决目前密集型光波复用(DWDM)系统对光纤通信放大器日益增长的带宽需求提供了一种新的途径。

利用热蒸发物理气相沉积法在300K的硅基底上制备了p型多晶PbSe薄膜，研究了氧敏化过程对其微观结构和电性能的影响。经XRD、XPS和SEM测试表明，制备的多晶PbSe薄膜为（200）晶面优先生长的面心立方结构，其经高温氧敏化后在微晶表面和晶界处形成了由SeO2和PbO混合氧化物构成的氧化层新相，其微晶会在氧化反应和重结晶的作用下融结在一起，晶粒间间隙会随着退火温度的不断提升而逐渐变小。霍尔效应仪测量表明，常温下沉积的多晶PbSe薄膜为p型，氧敏化未改变其导电类型；随着氧敏化退火温度的增加，其载流子浓度降低，载流子迁移率和薄膜暗电阻不断增大，但实验发现氧敏化过程未提高p型PbSe薄膜的红外光敏性。

通过湿化学方法制备了具有三阶非线性光学性质的硒化铅/聚乙烯醇复合物薄膜.采用透射电镜和扫描电镜对硒化铅量子点的尺寸和薄膜的形貌进行表征.运用Z扫描方法，研究了薄膜在波长为532 nm,脉冲宽度为38 ps条件下的三阶非线性光学性质.实验结果表明：合成的硒化铅量子点尺寸在10 nm左右，属于强量子受限，制备的薄膜表面粗糙度比较好；薄膜在皮秒脉冲激光作用下呈现负的非线性折射效应和反饱和吸收性质，其三阶非线性极化率χ(3)为3.6×10－11 esu.