基于环摆双面抛光技术，研究了3 mm厚大口径超薄元件的双面抛光加工工艺。通过对双面抛光原理的分析，对转速比、抛光垫面形、抛光液等工艺参数上作了优化，并通过加工模拟进行验证。通过工件环分离器减薄技术解决了3 mm厚超薄元件的装夹问题。在SYP152双面主动抛光机上进行了加工工艺实验，通过调节转速比实现3 mm厚大口径超薄元件面形的高效收敛，验证了加工的可行性，并且达到了面形精度优于1.5λ(λ=632.8 nm)、表面粗糙度优于1 nm的技术水平。
双面抛光 大口径超薄元件 工艺优化 转速比 加工模拟 double-side polishing large-aperture ultra-thin component process optimization speed ratio machining simulation 强激光与粒子束
2013, 25(12): 3315
通过建立环形抛光的去除模型，从理论上分析了转速比、槽形、元件摆动对于抛光结果的影响，并分析了中频误差产生的原因。模拟结果表明: 转速比的差异会产生较大的低频误差，而中频误差会随着低频误差的降低而降低; 槽形是中频误差的主要来源，复杂的非对称不规律槽形使抛光路径复杂化，降低中频误差; 同时元件的小幅度摆动能够使抛光更加均匀，减小定心式抛光造成的元件表面规则状纹路结构，从而有效减小元件的中频误差。
环形抛光 中频误差 模拟 转速比 槽形 continuous polishing mid-spatial frequency error simulation rotating ratio groove shape 强激光与粒子束
2013, 25(12): 3307
1 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所光学系统先进制造技术重点实验室，吉林 长春 130033
2 中国科学院 研究生院，北京 100039
为了完善环带抛光技术并指导加工，根据Preston方程建立了材料去除量的理论模型。考虑环带抛光技术中的影响因素，如抛光盘与工件之间的转速比、偏心距及压强分布等参数，建立了材料去除量与各影响因素之间相互关系的数学模型。理论分析和实验结果显示，转速比、偏心距和压强分布对磨削量均有影响，材料的去除效率随转速比和偏心距增加而增大，转速比越接近于1，磨削越均匀；工件露边时，工件露出部分材料的去除效率急剧下降。实验结果表明，通过对该理论模型中相关技术参数的研究来完善环带抛光技术，有效地提高了抛光的效率及稳定性。
环带抛光 材料去除 转速比 偏心距 zone polishing material removal rotating speed ratio eccentric distance
1 四川大学电子信息学院,四川,成都,610064
2 成都精密光学工程研究中心,四川,成都,610041
利用Preston方程,考虑了超精密环抛中的诸因素,如工件和磨盘转速比、偏心距以及压强,计算模拟了它们对磨削效果的影响.模拟表明,当转速比越接近1或偏心距越大时,磨削越均匀;均匀分布的压强越大,磨削越不均匀.在这三个影响因素中,转速比的作用最为显著.实现均匀磨削所需的压强应为二次型分布.这些为超精密环抛提供了指导,有助于实现主动控制.
连续环行抛光 压强梯度 偏心距 转速比
