半导体光电, 2019, 40 (4): 480, 网络出版: 2019-09-20
非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究
Fabrication and Photosensitive Properties of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors
基本信息
| DOI: | 10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.007 |
| 中图分类号: | TN386.2 |
| 栏目: | 光电器件 |
| 项目基金: | 东南大学毫米波国家重点实验室开放课题项目(K201907)、 东南大学成贤学院“青年教师科研发展基金”资助项目(z0006). |
| 收稿日期: | 2019-03-11 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2019-09-20 |
| 通讯作者: | 陆清茹 (121919084@qq.com) |
| 备注: | -- |
陆清茹, 李帆, 黄晓东. 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究[J]. 半导体光电, 2019, 40(4): 480. LU Qingru, LI Fan, HUANG Xiaodong. Fabrication and Photosensitive Properties of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2019, 40(4): 480.
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