非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究

陆清茹; 李帆; 黄晓东

doi:doi:10.16818/j.issn1001-5868.2019.04.007

半导体光电, 2019, 40 (4): 480, 网络出版: 2019-09-20

非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究

Fabrication and Photosensitive Properties of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors

陆清茹 ^1,2,*李帆 ³黄晓东 ³

作者单位

¹ 东南大学 1. 成贤学院电子与计算机工程学院, 南京 210088

² 2. 毫米波国家重点实验室, 南京 210096

³ MEMS教育部重点实验室, 南京 210096

图 & 表

陆清茹, 李帆, 黄晓东. 非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的制备及其光敏特性研究[J]. 半导体光电, 2019, 40(4): 480. LU Qingru, LI Fan, HUANG Xiaodong. Fabrication and Photosensitive Properties of Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide Thin Film Transistors[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2019, 40(4): 480.