半导体光电, 2016, 37 (2): 229, 网络出版: 2016-05-11
低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究
Investigation on Low Source Flux Delta Doped p-GaN Flim Grown by MOCVD
基本信息
DOI: | -- |
中图分类号: | O484 |
栏目: | 材料、结构与工艺 |
项目基金: | 国家自然科学基金项目(61204011,11204009,6107026);国家自然科学基金重点基金项目(U103760);北京市自然科学基金项目(4142005) |
收稿日期: | 2015-07-08 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2016-05-11 |
通讯作者: | 邢艳辉 (xingyanhui@bjut.edu.cn) |
备注: | -- |
王凯, 邢艳辉, 韩军, 赵康康, 郭立建, 于保宁, 李影智. 低源流量Delta掺杂p型GaN外延薄膜的研究[J]. 半导体光电, 2016, 37(2): 229. WANG Kai, XING Yanhui, HAN Jun, ZHAO Kangkang, GUO Lijian, YU Baoning, LI Yingzhi. Investigation on Low Source Flux Delta Doped p-GaN Flim Grown by MOCVD[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2016, 37(2): 229.