北京工业大学 光电子技术省部共建教育部重点实验室, 北京 100124
采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH4流量下重掺杂n型GaN材料, 研究发现在SiH4流量为20cm3/min时样品获得较高的电子浓度, 达到6.4×1019cm-3, 同时材料的结晶质量较好。光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的杂质能带进入导带形成带尾态, 使带边峰变得不尖锐, 并且发现SiH4流量以及材料的刃位错密度与黄光带发光有关。采用Delta掺杂方式生长的重掺杂样品, 样品表面粗糙度降低, 晶体质量明显改善, 但黄光带发光强度增强。缺陷选择性腐蚀研究发现Delta掺杂方式主要通过降低螺位错密度来改善晶体的质量。
重掺杂n型GaN 光电特性 缺陷选择性腐蚀 MOCVD MOCVD heavy dopded n-type GaN optical and electrical properties defect-selective etching
北京工业大学 电子信息与控制工程学院 光电子技术省部共建教育部重点实验室，北京 100124
利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）技术在蓝宝石衬底上制备了GaN∶Mg薄膜。首先，对Delta掺杂p型GaN的掺杂源流量进行优化研究，研究发现在较低46cm3/min的CP2Mg源流量下，晶体质量和导电性能都有所改善，获得了较高空穴浓度，为8.73×1017cm-3，（002）和（102）面FWHM分别为245和316arcsec。随后，采用XRD、Hall测试、PL以及AFM研究了在生长过程中加入生长停顿对Delta掺杂p型GaN材料特性的影响，发现加入生长停顿后，样品电学特性、光学特性和晶体质量并未得到改善，反而下降。
薄膜 p型GaN Delta 掺杂 低源流量 金属有机物化学气相沉积 thin films p-GaN Delta doped low source flux MOCVD
