中国激光, 2014, 41 (11): 1106001, 网络出版: 2014-10-08
MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究
Optical Characteristics of 1.06 μm InGaAs/GaAs Quantum Well Grown by MOCVD
基本信息
| DOI: | 10.3788/cjl201441.1106001 |
| 中图分类号: | O472+.3 |
| 栏目: | 材料与薄膜 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(60976038,61107054,61308051)、国家自然科学基金委员会和中国工程物理研究院联合基金(U1330136)、吉林省科技发展计划(20100419,20140101192)、高功率半导体激光国家重点实验室基金(C1301) |
| 收稿日期: | 2014-04-18 |
| 修改稿日期: | 2014-06-24 |
| 网络出版日期: | 2014-10-08 |
| 通讯作者: | 刘洋 (yongdi36@163.com) |
| 备注: | -- |
刘洋, 李林, 乔忠良, 苑汇帛, 谷雷, 戴银, 李特, 曲轶. MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究[J]. 中国激光, 2014, 41(11): 1106001. Liu Yang, Li Lin, Qiao Zhongliang, Yuan Huibo, Gu Lei, Dai Yin, Li Te, Qu Yi. Optical Characteristics of 1.06 μm InGaAs/GaAs Quantum Well Grown by MOCVD[J]. Chinese Journal of Lasers, 2014, 41(11): 1106001.
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