中国激光, 2014, 41 (11): 1106001, 网络出版: 2014-10-08
MOCVD生长1.06 μm波段InGaAs/GaAs单量子阱材料的发光特性研究
Optical Characteristics of 1.06 μm InGaAs/GaAs Quantum Well Grown by MOCVD
材料 金属有机化学气相沉积 InGaAs/GaAs量子阱 偏向角 发光强度 半峰全宽 materials metal-organic Dchemical vapor deposition InGaAs/GaAs quantum well offset substrates photoluminescence intensity full width at half-maximum
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