中国科学院半导体研究所 材料重点实验室，北京 100083
研制了双沟型脊波导结构的1 060 nm分布反馈激光器.和普通脊波导激光器相比，该器件能提高在连续条件下的侧模稳定性.单模最大输出功率达到300 mW边模抑制比大于45 dB.采用该激光器进行泵浦周期性极化铌酸锂晶体倍频实验，得到的绿光功率为3 mW,该方案将成为低成本绿光光源实现方案.
大功率 分布反馈激光器 双沟脊波导 单模 二次谐波 High power Distributed feedback Double-trench ridge waveguide Single-mode Second harmonic generation
Author Affiliations
Abstract
Key Laboratory of Semiconductor Materials Science, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100086, China
We report a direct, modulated bandwidth enhancement in a amplified feedback laser (AFL), both experimentally and numerically. By means of fabricated devices, an enhanced 3 dB bandwidth of 27 GHz with an in-band flatness of ±3 dB is experimentally confirmed at 13 °C. It is numerically confirmed that the modulated bandwidth of the AFL can be enhanced to two times its original bandwidth, with more controlled flexibility to realize a flat, small-signal response.
140.5960 Semiconductor lasers 130.3120 Integrated optics devices 060.4510 Optical communications Chinese Optics Letters
2015, 13(5): 051401
中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室, 北京 100083
为实现高效率、小型化、可调谐、室温下稳定运转的半导体太赫兹(THz)波源，提出了采用光子集成技术，将两个并联的分布反馈(DFB)激光器与无源多模干涉耦合器(MMI)集成，输出THz 拍频抽运光束的方案。两DFB 激光器的光栅布拉格波长设计偏调为4.8 nm(0.6 THz)，通过改变集成器件中DFB 激光器的注入电流进行波长调谐，每路DFB 能够达到3.9 nm 的波长偏调。将拍频光束通过单模光纤耦合到频域分辨光学门(FROG）中对THz 拍频光束空间拍频包络进行测量，在不同的DFB 区注入电流下，证实了集成芯片在0.184~1.02 THz 频率调谐范围内可室温连续输出用于产生THz 波的有效THz 拍频光束。
集成光学 太赫兹源 差频产生法 频域分辨光学门 分布反馈激光器 多模干涉耦合器 激光与光电子学进展
2015, 52(9): 091302
设计并制备了大功率高光束质量的1060 nm 波长的非对称波导半导体激光二极管.本激光二极管包含压应变InGaAs/GaAs双量子阱和GaAs/AlGaAs分别限制结构。为提高激光二极管的大功率性能，设计激光器二极管的垂直结构具有小快轴远场发散角，大光斑面积及低腔面光能密度，低光腔内吸收损耗和高内量子效率等性能。通过引入4 μm厚弱光限制Al0.1Ga0.9As波导，激光器二极管的远场发散角降到20°，光斑宽度增到接近1 μm。量子阱位置偏调后得到的薄上波导层非对称波导结构可以使激光二极管即使在大电流注入时也能保持高的内量子效率。根据以上设计，分别制备了50 μm 宽条和窄条脊波导激光二极管。2 mm 腔长的宽条激光二极管得到1.3 W连续光功率。单模脊波导激光器的直流光功率为600 mW。
激光器 光学设计 大功率 光波导 光学学报
2015, 35(s1): s114006
中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室, 北京 100083
采用选区外延生长应变InGaAsP/InGaAsP多量子阱有源层，制备出带宽为25 Gb/s的单片集成电吸收调制分布反馈激光器。激光器区和调制器区的荧光光谱波长分别为1535 nm和1497 nm，偏调约为38 nm。利用全息技术在激光器区制备光栅，集成器件激射在1549 nm波长处，器件的阈值电流为18 mA，在100 mA直流电流下出光功率大于10 mW。器件工作在单模状态，边模抑制比大于40 dB，与单模光纤耦合后测得的静态消光比为23 dB,器件的3 dB响应带宽为16 GHz。调制器偏压为-1.7 V,峰峰值电压为3.5 V,在25 Gb/s非归零伪随机二进制码（215-1）调制下测得器件的背靠背眼图清晰张开，动态消光比大于5.7 dB。器件具有低成本、高带宽的特点，是下一代光纤通信网络的理想光源。
激光器 分布反馈激光器 电吸收调制器 选择区域生长 光学学报
2015, 35(s1): s114001
